[发明专利]半导体芯片以及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体芯片，其特征在于，包括：

基底，具有上表面以及相对于所述上表面的下表面；

第一穿硅通孔设置于所述基底中，贯穿所述上表面；

第一穿硅通孔结构设置于所述第一穿硅通孔中，包括第一通孔导电材料；

第二穿硅通孔设置于所述基底中，贯穿所述下表面并与所述第一穿硅通孔相连通；

第二穿硅通孔结构设置于所述第二穿硅通孔中，包括与所述第一通孔导电材料电气连接的第二通孔导电材料；以及

被动器件覆盖所述下表面，并与所述第二通孔导电材料电气连接。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，还包括：

绝缘层设置于所述基底、所述第一穿硅通孔与所述第二穿硅通孔中，所述绝缘层同时围绕所述第一通孔导电材料与所述第二通孔导电材料。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，还包括：

阻挡层设置于所述基底、所述第一穿硅通孔与所述第二穿硅通孔中，所述阻挡层同时围绕所述第一通孔导电材料与所述第二通孔导电材料。

4.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述第一通孔导电材料与所述第二通孔导电材料不同。

5.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述第一通孔导电材料与所述第二通孔导电材料独立为铜、硅、钨、铝、镍其中至少一者。

6.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，交界面位于所述第一通孔导电材料与所述第二通孔导电材料之间。

7.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述第一穿硅通孔与所述第二穿硅通孔的表面粗糙度不同。

8.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于，所述第一穿硅通孔与所述第二穿硅通孔的孔径不同。

9.一种形成半导体芯片的方法，其特征在于，包括：

提供基底，具有上表面以及相对于所述上表面的下表面；

在所述基底中形成第一穿硅通孔，贯穿所述上表面而不贯穿所述下表面；

在所述第一穿硅通孔中形成第一穿硅通孔结构，所述第一穿硅通孔结构填满所述第一穿硅通孔并包括第一通孔导电材料；

在所述基底中形成第二穿硅通孔，贯穿所述下表面并暴露所述第一通孔导电材料；

在所述第二穿硅通孔中形成第二穿硅通孔结构，所述第二穿硅通孔结构填满所述第二穿硅通孔并包括与所述第一通孔导电材料电气连接的第二通孔导电材料；以及

形成覆盖所述下表面的被动器件，其与所述第二通孔导电材料电气连接。

10.根据权利要求9所述的形成半导体芯片的方法，其特征在于，更包括：

形成设置于所述基底、所述第一穿硅通孔与所述第二穿硅通孔中的绝缘层，所述绝缘层同时围绕所述第一通孔导电材料与所述第二通孔导电材料。

11.根据权利要求9所述的形成半导体芯片的方法，其特征在于，更包括：

形成设置于所述基底、所述第一穿硅通孔与所述第二穿硅通孔中的阻挡层，所述阻挡层同时围绕所述第一通孔导电材料与所述第二通孔导电材料。

12.根据权利要求9所述的形成半导体芯片的方法，其特征在于，所述第一通孔导电材料与所述第二通孔导电材料不同。

13.根据权利要求9所述的形成半导体芯片的方法，其特征在于，所述第一通孔导电材料与所述第二通孔导电材料独立为铜、硅、钨、铝、镍其中至少一者。

14.根据权利要求9所述的形成半导体芯片的方法，其特征在于，交界面位于所述第一通孔导电材料与所述第二通孔导电材料之间并为合金与介金属化合物其中至少一者。

15.根据权利要求9所述的形成半导体芯片的方法，其特征在于，所述第一穿硅通孔与所述第二穿硅通孔的表面粗糙度不同。

16.根据权利要求9所述的形成半导体芯片的方法，其特征在于，所述第一穿硅通孔与所述第二穿硅通孔的孔径不同。

17.根据权利要求9所述的形成半导体芯片的方法，其特征在于，更包括：

形成设置于所述上表面与所述下表面至少一者上的功能层，所述功能层为重布线路层与金属层其中至少一者。