[发明专利]电容的制作方法

权利要求书

1.一种电容制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供金属下电极；

以原子层沉积法，在所述金属下电极上沉积至少一层金属氮化层；

以原子层沉积法，在所述金属氮化层上沉积至少一层高介电常数金属氧化层，所述沉积金属氮化层步骤与所述沉积高介电常数金属氧化层步骤是原位工艺；以及

形成金属上电极覆盖所述高介电常数金属氧化层。

2.根据权利要求1所述的电容制作方法，其特征在于所述的金属下电极材料与所述金属上电极材料选自铝、钨、铜、铝化钛、钛、氮化钛、钽与氮化钽所组成的群组。

3.根据权利要求1所述的电容制作方法，其特征在于所述沉积金属氮化层步骤包括依次进行：

在腔体内，通入前驱物；

在所述腔体内，通入惰性气体；

在所述腔体内，通入氨气；以及

在所述腔体内，再次通入所述惰性气体。

4.根据权利要求3所述的电容制作方法，其特征在于所述的沉积高介电常数金属氧化层步骤包括依次进行：

在所述腔体内，通入前驱物；

在所述腔体内，通入惰性气体；

在所述腔体内，通入臭氧；以及

在所述腔体内，再次通入所述惰性气体。

5.根据权利要求1所述的电容制作方法，其特征在于所述金属氮化层与所述的高介电常数金属氧化层实质上包含有相同的金属离子。

6.根据权利要求1所述的电容制作方法，其特征在于所述的高介电常数金属氧化层材料可选自氧化铪、硅酸铪氧化合物、氧化铝、氧化镧、氧化钽、氧化钇、氧化锆、钛酸锶、硅酸锆氧化合物、锆酸铪、锶铋钽氧化物、锆钛酸铅与钛酸钡锶所组成的群组。