[发明专利]一种腐蚀制备选择性发射极晶体硅太阳能电池的方法

权利要求书

1.一种腐蚀制备选择性发射极晶体硅太阳能电池的方法，使电池受光面的电极区域形成重掺杂，非电极区域形成轻掺杂，其特征在于：通过采用扩散工艺形成磷掺杂的电池PN结，对电极区域丝网印刷掩膜，通过减薄非掩模区域，使该区域的扩散掺杂浓度低于掩模区域，然后去除掩模区域的掩膜。

2.如权利要求1所述的一种腐蚀制备选择性发射极晶体硅太阳能电池的方法，包括如下步骤：

a)硅片表面织构处理；

b)电池受光面进行扩散形成PN结；

c)电池受光面第一次丝网印刷，将保护浆料覆盖在硅片受光表面需要制作电极的区域形成掩膜区；

d)丝网印刷后的硅片进行减薄，非掩模区域形成高方阻区域，而掩模区域受保护、方阻基本不变；

e)去除减薄后硅片掩模区域的浆料；

f)按常规太阳能电池生产工艺继续生产，包括刻蚀、清洗、镀减反膜、丝网印刷、烧结。

3.权利要求2所述的一种腐蚀制备选择性发射极晶体硅太阳能电池的方法，其特征在于：

步骤c)所用的掩膜浆料，成分为无机物、有机物或无机有机混合物。

4.如权利要求2所述的一种腐蚀制备选择性发射极晶体硅太阳能电池的方法，其特征在于：步骤b)扩散工艺形成的方块电阻在20-60Ω，包括双面或单面扩散。

5.如权利要求2所述的一种腐蚀制备选择性发射极晶体硅太阳能电池的方法，其特征在于：步骤d)减薄后的非掩膜区域的方块电阻为70-300Ω。

6.如权利要求2所述的一种腐蚀制备选择性发射极晶体硅太阳能电池的方法，其特征在于：步骤d)减薄的实现方式包括化学溶液腐蚀、反应离子刻蚀等物理或化学方法。

7.如权利要求2所述的一种腐蚀法制备选择性发射极晶体硅太阳能电池的方法，其特征在于：步骤e)所用的掩膜去除方法包括纯水清洗、化学溶液清洗、等离子刻蚀或高温烧蚀等。

8.如权利要求2所述的一种腐蚀制备选择性发射极晶体硅太阳能电池的方法，其特征在于：步骤f)电池受光面第二次丝网印刷制备金属化电极时，使金属化电极与步骤b)第一次丝网印刷掩膜印刷图形重叠。