[发明专利]TEM样品的精确定位的制作方法

权利要求书

1.一种TEM样品的精确定位的制作方法，包括：

提供待检样品，并研磨所述待检样品直至暴露具有若干金属线的底层金属层，并设定所述底层金属层中每一金属线的排列次序；

选定目标地址的区域，确定与目标地址相邻的两金属线的排列次序；

在所述底层金属层上沉积镀层，所述镀层的中心与所述目标地址对准，所述镀层覆盖多条金属线，并记录所述镀层的最边缘覆盖的金属线的排列次序；

将所述镀层覆盖的区域从待检样品切割分离，并对所述切割分离出的结构进行减薄，获得TEM样品；

观察所述TEM样品，根据与目标地址相邻的两金属线的排列次序以及最边缘覆盖的金属线的排列次序，找到TEM样品中所述目标地址的精确位置，获得TEM样品中目标地址的图像。

2.如权利要求1所述的TEM样品的精确定位的制作方法，其特征在于，所述待检样品中包含多个重复排列的结构单元。

3.如权利要求1所述的TEM样品的精确定位的制作方法，其特征在于，所述镀层的材质为铂。

4.如权利要求1所述的TEM样品的精确定位的制作方法，其特征在于，所述镀层覆盖金属线的个数为6～20个。

5.如权利要求1所述的TEM样品的精确定位的制作方法，其特征在于，所述镀层的长度为6μm～10μm，所述镀层的宽度为1μm～3μm，所述镀层的厚度为0.1μm～0.3μm。

6.如权利要求5所述的TEM样品的精确定位的制作方法，其特征在于，所述镀层的长度为8μm，宽度为2μm，厚度为0.2μm。

7.如权利要求1所述的TEM样品的精确定位的制作方法，其特征在于，在选定目标地址的区域的过程中，还包括：

利用聚焦离子束剥离部分所述金属线，暴露其下方的位线；

确定与目标地址相邻的两金属线的排列次序的同时，确定所述目标地址对应的位线。

8.如权利要求1所述的TEM样品的精确定位的制作方法，其特征在于，在获得TEM样品的步骤中，包括：

对所述待检样品进行双面粗打磨；

利用U型切割将所述镀层覆盖的区域底部从待检样品分离；

对所述待检样品进行双面精打磨；

对所述待检样品进行最终双面精打磨。

9.如权利要求8所述的TEM样品的精确定位的制作方法，其特征在于，在双面粗打磨步骤中，两次离子电流分别为6nA～7nA，2.5nA～3nA。

10.如权利要求8所述的TEM样品的精确定位的制作方法，其特征在于，在双面精打磨的步骤中，离子电流为0.8nA～1.5nA。

11.如权利要求8所述的TEM样品的精确定位的制作方法，其特征在于，在最终双面精打磨的步骤中，离子电流90pA～150pA。

12.如权利要求8所述的TEM样品的精确定位的制作方法，其特征在于，在双面精打磨的步骤后，所述待检区域的厚度为0.5μm～0.7μm。

13.如权利要求12所述的TEM样品的精确定位的制作方法，其特征在于，在双面精打磨的步骤后，所述待检区域的厚度为0.6μm。