[发明专利]MOS晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201210121171.0 | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103377935A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 制造 方法 | ||
1.一种MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成栅极结构；
在所述栅极结构的两侧形成侧墙；
在所述半导体衬底中进行源/漏极区掺杂离子注入；
在所述半导体衬底和栅极结构表面沉积应力盖层并进行激光脉冲退火和/或激光闪光退火；
移除所述应力盖层，在所述栅极结构顶部和暴露出半导体衬底的上表面形成自对准金属硅化物。
2.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅氧化层及其上方的多晶硅层。
3.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述源/漏极区掺杂离子注入包括：
轻掺杂源/漏区离子注入以形成源/漏扩展区；以及
重掺杂源/漏区离子注入以形成源/漏极。
4.如权利要求3所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述MOS晶体管为NMOS时，所述轻掺杂源/漏区离子注入的离子为碳离子；所述MOS晶体管为PMOS时，所述轻掺杂源/漏区离子注入的离子为锗离子。
5.如权利要求3所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述源/漏极区离子注入还包括：
在所述轻掺杂源/漏区离子注入步骤之前进行源/漏区硼离子注入。
6.如权利要求3所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述源/漏极区离子注入还包括：
在所述重掺杂源/漏区离子注入步骤之后进行源/漏区硼离子注入。
7.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述应力盖层厚度为50nm～1000nm。
8.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述MOS晶体管为NMOS时，所述应力盖层为张应力盖层；所述MOS晶体管为PMOS时，所述应力盖层为压应力盖层。
9.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述应力盖层包括应力氮化硅层、应力氮氧化硅层以及金属层中的至少一层。
10.如权利要求9所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述金属层包括TiNAl、TaN、Al、Cu中的至少一种。
11.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，所述激光脉冲退火和/或激光闪光退火的温度为1000℃～1350℃，工艺时间为30ms～300ms。
12.如权利要求1所述的MOS晶体管的制造方法，其特征在于，还包括：在形成自对准金属硅化物的器件表面沉积接触孔刻蚀停止层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
