[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括每个与位线耦接的两个或更多个存储块组；

页缓冲器组，所述页缓冲器组与第一存储块组的第一位线耦接，并且被配置成根据在编程操作中将存储在存储器单元中的数据来控制所述第一存储块组的第一位线的电压，并且被配置成在读取操作中感测所述第一位线的电压；

至少一个位线耦接电路，所述位线耦接电路被配置成通过响应于位线耦接信号来选择性耦接第一至第n存储块组的第一位线而将在所述存储块组之中选中的第n存储块组的第一位线与所述页缓冲器组耦接；以及

位线控制电路，所述位线控制电路被配置成响应于位线控制信号来控制所述存储块组的第二位线,以及设置所述存储块组的第二位线处于预充电状态、放电状态以及浮置状态中的一个，

其中，所述位线耦接电路被配置成：在所述第一存储块组至第n存储块组的第一位线彼此连接时，使所述存储块组的第二位线断开连接。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，在编程操作中，所述第n存储块组的位线控制电路对所述第n存储块组的第二位线预充电，并且其余的存储块组的位线控制电路设置其余的存储块组的第二位线处于浮置状态。

3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，在读取操作中，所述第n存储块组的位线控制电路对所述第n存储块组的第二位线放电，并且其余的存储块组的位线控制电路对其余的存储块组的第二位线预充电。

4.如权利要求1所述的半导体存储器件，还包括电压供应电路，所述电压供应电路被配置成：为选中的存储块组的选中的存储块提供用于编程操作或读取操作的电压。

5.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述位线耦接电路包括：

偶数位线耦接电路，所述偶数位线耦接电路被配置成响应于所述位线耦接信号的偶数位线耦接信号来控制所述存储块组的偶数位线之间的连接；以及

奇数位线耦接电路，所述奇数位线耦接电路被配置成响应于所述位线耦接信号的奇数位线耦接信号来控制所述存储块组的奇数位线之间的连接。

6.如权利要求5所述的半导体存储器件，其中，在选中的存储块组的偶数位线被选择作为其第一位线时，所述偶数位线耦接电路将所述第n存储块组的偶数位线与设置在所述第n存储块组与所述页缓冲器组之间的存储块组的偶数位线耦接。

7.如权利要求6所述半导体存储器件，其中，所述奇数位线耦接电路使所述存储块组的奇数位线彼此断开连接。

8.如权利要求5所述的半导体存储器件，其中，在选中的存储块组的奇数位线被选择作为其第一位线时，奇数位线耦接电路将所述第n存储块组的奇数位线与设置在所述第n存储块组与所述页缓冲器组之间的存储块组的奇数位线耦接。

9.如权利要求8所述的半导体存储器件，其中，所述偶数位线耦接电路使所述存储块组的偶数位线彼此断开连接。

10.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述位线控制电路被配置成：根据所述存储块组是否被选择作为选中的存储块组，设置所述存储块组的第二位线处于编程操作中的预充电状态或浮置状态和处于读取操作中的预充电状态或放电状态。

11.如权利要求1所述的半导体存储器件，还包括控制器，所述控制器被配置成响应于地址信号产生所述位线控制信号和所述位线耦接信号。

12.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中：

所述页缓冲器组包括对应于第一存储块组的各个第一位线和第二位线对的页缓冲器，以及

所述页缓冲器的每个包括位线选择电路，所述位线选择电路被配置成响应于位线选择信号选择所述对的一个位线。