[发明专利]一种被动元件之结构

权利要求书

1.一种被动元件之结构，其特征在于，包含：

一被动元件本体，该被动元件本体具有一第一表面与一第二表面；

至少一第一缓冲层，位于该被动元件本体的第一表面上，该第一缓冲层的厚度介于30纳米至300纳米之间，其中该第一缓冲层的材质为镍合金、铝合金、镍铬合金、镍钒合金、钛、银、铂、不锈钢316、不锈钢304或铜合金中的一种；以及，

至少一第一导电层，位于该第一缓冲层上，该第一导电层的厚度介于80纳米至1000纳米之间，其中该第一导电层的材质为铜、锌、铜合金、锌合金、银或镍钒合金中的一种。

2.如权利要求1所述的被动元件之结构，其特征在于，更包含：

至少一第二缓冲层，位于该被动元件本体的第二表面上，该第二缓冲层的厚度介于30纳米至300纳米之间，其中该第二缓冲层的材质为镍合金、铝合金、镍铬合金、镍钒合金、钛、银、铂、不锈钢316、不锈钢304或铜合金中的一种；以及，

至少一第二导电层，位于该第二缓冲层上，该第二导电层的厚度介于80纳米至1000纳米之间，其中该第二导电层的材质为铜、锌、铜合金、锌合金、银或镍钒合金中的一种。

3.如权利要求2所述的被动元件之结构，其特征在于，该第一缓冲层与该第二缓冲层的厚度介于30纳米至130纳米之间。

4.如权利要求2所述的被动元件之结构，其特征在于，该第一导电层与该第二导电层的厚度介于130纳米至280纳米之间。

5.如权利要求2所述的被动元件之结构，其特征在于，该第一缓冲层与该第二缓冲层的厚度为50纳米或100纳米，该第一导电层与该第二导电层的厚度为250纳米。

6.如权利要求2所述的被动元件之结构，其特征在于，该第一缓冲层与该第二缓冲层通过沉积法沉积于该被动元件本体上，该第一导电层与该第二导电层通过沉积法分别沉积于该第一缓冲层与该第二缓冲层上。

7.如权利要求1所述的被动元件之结构，其特征在于，该被动元件是电容或突波吸收器或热敏电阻或压电陶瓷。

8.一种被动元件之结构，其特征在于，包含：

一被动元件本体，该被动元件本体具有一第一表面与一第二表面；

至少一第一缓冲层，位于该被动元件本体的第一表面上，该第一缓冲层具有第一厚度，其中该第一缓冲层的材质为镍合金、铝合金、镍铬合金、镍钒合金、钛、银、铂、不锈钢316、不锈钢304或铜合金中的一种；以及，

至少一第一导电层，位于该第一缓冲层上，该第一导电层具有第二厚度，其中该第二厚度与该第一厚度的比值为介于0.26至33.34之间，且该第一导电层的材质为铜、锌、铜合金、锌合金、银或镍钒合金中的一种。

9.如权利要求8所述的被动元件之结构，其特征在于，更包含：

至少一第二缓冲层，位于该被动元件本体的第二表面上，该第二缓冲层具有第三厚度，其中该第二缓冲层的材质为镍合金、铝合金、镍铬合金、镍钒合金、钛、银、铂、不锈钢316、不锈钢304或铜合金中的一种；以及，

至少一第二导电层，位于该第二缓冲层上，该第二导电层具有第四厚度，其中该第四厚度与该第三厚度的比值为介于0.26至33.34之间，其中该第二导电层的材质为铜、锌、铜合金、锌合金、银或镍钒合金中的一种。

10.如权利要求9所述的被动元件之结构，其特征在于，该第二厚度与该第一厚度的比值介于1至9.34之间，该第四厚度与该第三厚度的比值介于1至9.34之间。

11.如权利要求9所述的被动元件之结构，其特征在于，该第一缓冲层与该第二缓冲层通过沉积法沉积于该被动元件本体上，该第一导电层与该第二导电层通过沉积法分别沉积于该第一缓冲层与该第二缓冲层上。

12.如权利要求8所述的被动元件之结构，其特征在于，该被动元件是电容或突波吸收器或热敏电阻或压电陶瓷。