[发明专利]一种被动元件之结构有效
申请号: | 201210124131.1 | 申请日: | 2012-04-24 |
公开(公告)号: | CN103165281A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 李智渊;蔡硕文;黄耀贤;蔡俊毅 | 申请(专利权)人: | 钜永真空科技股份有限公司 |
主分类号: | H01G4/002 | 分类号: | H01G4/002;H01G4/005;H01C7/02;H01C7/04;H01L41/047 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 杨林;金玉兰 |
地址: | 中国台湾台南市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 被动 元件 结构 | ||
技术领域
本发明涉及一种被动元件之结构,特别是有关于一种具有默认膜厚的被动元件之结构。
背景技术
现今社会对于电子产品的依赖性日益提高,人们的身边总是存在有电子产品,而电子产品内部更是具有电路。并且不论是简单的电路,亦或是复杂的电路,总是会包含基本的被动元件,举例而言,电容即是其中的一种被动元件。在电路中,电容可用以储存能量、更正功率因子以及作为滤波的元件。
现在的被动元件的例如为电极层的导电层是通过刷银机涂银浆于被动元件本体的表面上,再以约摄氏800度至900度的高温烧结此被动元件,且此高温烧结的处理时间需达数十分钟,不仅耗费能源且造成环境温度升高。此外,若被动元件的导电层是银电极,则会因银本身的活性较大,且在高温烧结的状态时,银电极会有迁移扩散的现象,而造成被动元件的绝缘电阻降低,影响被动元件的电性,进而导致被动元件的损坏。除此之外,高温烧结及涂布银浆均是极耗费成本的制程。
发明内容
鉴于背景技术提及的各项问题,本发明提出一种被动元件之结构,以解决现有技术存在的问题。
本发明提供的被动元件之结构,包含:
一被动元件本体,该被动元件本体具有一第一表面与一第二表面,其中该被动元件本体的材质可为陶瓷;
至少一第一缓冲层,位于该被动元件本体的第一表面上,该第一缓冲层的厚度约介于30纳米至300纳米之间,其中该第一缓冲层的材质为镍合金、铝合金、镍铬合金、镍钒合金、钛、银、铂、不锈钢316、不锈钢304或铜合金中的一种;以及,
至少一第一导电层,位于该第一缓冲层上,该第一导电层的厚度约介于80纳米至1000纳米之间,其中该第一导电层的材质为铜、锌、铜合金、锌合金、银或镍钒合金中的一种。
此外,本发明的被动元件的结构,更可包含:
至少一第二缓冲层,位于该被动元件本体的第二表面上,该第二缓冲层的厚度约介于30纳米至300纳米之间,其中该第二缓冲层的材质可为镍合金、铝合金、镍铬合金、镍钒合金、钛、银、铂、不锈钢316、不锈钢304或铜合金中的一种;以及,
至少一第二导电层,位于该第二缓冲层上,该第二导电层的厚度约介于80纳米至1000纳米之间,其中该第二导电层的材质为铜、锌、铜合金、锌合金、银或镍钒合金中的一种。
其中,该第一缓冲层与该第二缓冲层的厚度可约介于30纳米至130纳米之间。
其中,该第一导电层与该第二导电层的厚度可约介于130纳米至280纳米之间。
其中,该第一缓冲层与该第二缓冲层的厚度可约为50纳米或100纳米,该第一导电层与该第二导电层的厚度可约为250纳米。
其中,该第一缓冲层与该第二缓冲层通过沉积法沉积于该被动元件本体上,该第一导电层与该第二导电层通过沉积法分别沉积于该第一缓冲层与该第二缓冲层上。
其中,该被动元件是电容或突波吸收器或热敏电阻或压电陶瓷。
本发明提供的另一种被动元件之结构,包含:
一被动元件本体,该被动元件本体具有一第一表面与一第二表面,其中该被动元件的材质可为陶瓷;
至少一第一缓冲层,位于该被动元件本体的第一表面上,该第一缓冲层具有第一厚度,其中该第一缓冲层的材质可为镍合金、铝合金、镍铬合金、镍钒合金、钛、银、铂、不锈钢316、不锈钢304或铜合金中的一种;以及,
至少一第一导电层,位于该第一缓冲层上,该第一导电层具有第二厚度,其中该第二厚度与该第一厚度的比值可约为介于0.26至33.34之间,其中该第一导电层的材质可为铜、锌、铜合金、锌合金、银或镍钒合金中的一种。
此外,本发明的被动元件的结构,更可包含:
至少一第二缓冲层,位于该被动元件本体的第二表面上,该第二缓冲层具有第三厚度,其中该第二缓冲层的材质可为镍合金、铝合金、镍铬合金、镍钒合金、钛、银、铂、不锈钢316、不锈钢304或铜合金中的一种;以及,
至少一第二导电层,位于该第二缓冲层上,该第二导电层具有第四厚度,其中该第四厚度与该第三厚度的比值可约为介于0.26至33.34之间,其中该第二导电层的材质可为铜、锌、铜合金、锌合金、银或镍钒合金中的一种。
其中,该第二厚度与该第一厚度的比值可约介于1至9.34之间,该第四厚度与该第三厚度的比值可约介于1至9.34之间。
其中,该第一缓冲层与该第二缓冲层通过沉积法沉积于该被动元件本体上,该第一导电层与该第二导电层通过沉积法分别沉积于该第一缓冲层与该第二缓冲层上。
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