[发明专利]发光二极管封装构造无效
| 申请号： | 201210125982.8 | 申请日： | 2012-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN102683335A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 陈盈仲 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/48 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 构造 | ||
1.一种发光二极管封装构造，其特征在于：所述发光二极管封装构造包含：
一载板，具有一第一芯片承载部及数个第二芯片承载部，所述第二芯片承载部排列于所述第一芯片承载部周围，且所述第一芯片承载部具有一下沉结构；
一第一色光发光二极管芯片，设于所述第一芯片承载部的下沉结构内，其中所述下沉结构的深度不小于所述第一色光发光二极管芯片的高度；以及
数个第二发光二极管芯片，分别设于所述第二芯片承载部上。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装构造，其特征在于：所述第一色光发光二极管芯片的高度介于0.1毫米至0.2毫米之间。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装构造，其特征在于：所述第一色光发光二极管芯片为红光发光二极管芯片，及所述第二色光发光二极管芯片为蓝光发光二极管芯片。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装构造，其特征在于：所述第一色光发光二极管芯片的体积大于所述第二色光发光二极管芯片的体积。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装构造，其特征在于：所述发光二极管封装构造还包含：一透光封装材料，包覆所述第一及第二色光发光二极管芯片。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装构造，其特征在于：所述发光二极管封装构造还包含：至少一种萤光粉，至少位于各所述第二色光发光二极管芯片朝上的一第二出光表面上方。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装构造，其特征在于：所述萤光粉为绿光萤光粉或黄光萤光粉。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装构造，其特征在于：所述第二色光发光二极管芯片彼此相邻的间距介于0.1毫米至0.8毫米之间。
9.如权利要求1所述的发光二极管封装构造，其特征在于：所述载板为一以绝缘材质连接及支撑的导线架或一电路基板。
10.一种发光二极管封装构造，其特征在于：所述发光二极管封装构造包含：
一载板，具有一第一芯片承载部及数个第二芯片承载部，所述第二芯片承载部排列于所述第一芯片承载部周围，且所述第一芯片承载部具有一下沉结构；
一第一色光发光二极管芯片，具有一朝上的第一出光表面，并设于所述第一芯片承载部的下沉结构内，其中所述下沉结构的深度不小于所述第一色光发光二极管芯片的高度；
数个第二发光二极管芯片，各具有一朝上的第二出光表面，且分别设于所述第二芯片承载部上；
一透光封装材料，包覆所述第一及第二色光发光二极管芯片；以及至少一种萤光粉，至少位于各所述第二色光发光二极管芯片朝上的一第二出光表面上方。
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