[发明专利]光刻仿真的方法及装置有效

专利信息
申请号: 201210126228.6 申请日: 2012-04-26
公开(公告)号: CN102681361A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 陈岚;李志刚;吴玉平 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G06F17/50
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 宋焰琴
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 光刻 仿真 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种光刻仿真的方法,其特征在于,包括:

将物理版图内的掩膜图形划分为若干个待仿真区域;

在所述若干个待仿真区域中搜索具有几何同构关系的待仿真区域,搜索获取的具有几何同构关系的多个待仿真区域构成区域同构序列;

对若干个所述区域同构序列中的每一个区域同构序列,以图形同构方式合并光刻仿真任务,获得光刻仿真结果。

2.根据权利要求1所述的光刻仿真方法,其特征在于,所述对若干区域同构序列中的每一区域同构序列,以图形同构方式合并光刻仿真任务,获得光刻仿真结果的步骤包括:

对当前区域同构序列中的第一同构区域进行光刻仿真,获得其光刻仿真结果;

对当前区域同构序列中除所述第一同构区域外的其他同构区域:按照该同构区域与所述第一同构区域之间的几何同构关系,对所述第一同构区域的光刻仿真结果进行变换;并将所述变换后的光刻仿真结果应用于该同构区域,从而获得该同构区域的光刻仿真结果。

3.根据权利要求2所述的光刻仿真方法,其特征在于,所述在若干个待仿真区域中搜索具有几何同构关系的待仿真区域,搜索获取的具有几何同构关系的多个待仿真区域构成若干区域同构序列的步骤包括:

对于所述若干个待仿真区域中的每一个待仿真区域:以其最小坐标值为原点,对该待仿真区域内的掩膜图形进行坐标平移变换;按照坐标变换后的坐标,对该待仿真区域内的掩膜图形进行排序;

搜索掩膜图形顺序对应匹配的多个待仿真区域构成区域同构序列,并记录该区域同构序列中同构区域间的几何同构关系。

4.根据权利要求3所述的光刻仿真方法,其特征在于,所述搜索掩膜图形顺序存在对应关系的多个待仿真区域构成区域同构序列,并记录该区域同构序列中同构区域间的几何同构关系的步骤包括:

选取未被归属于已有区域同构序列的一待仿真区域作为当前区域同构序列的第一同构区域;

对于未被归属于已有区域同构序列的第一同构区域之外的每一个待仿真区域:

判断该待仿真区域内排序后的掩膜图形顺序与第一同构区域内排序后的掩膜图形顺序是否对应匹配;

如果两者对应匹配,则该待仿真区域与所述第一同构区域构成直接同构关系,将该待仿真区域并入当前区域同构序列,并记录该待仿真区域与第一同构区域的坐标平移变换关系作为两者的几何同构关系。

5.根据权利要求4所述的光刻仿真方法,其特征在于,所述判断该待仿真区域内排序后的掩膜图形顺序与第一同构区域内排序后的掩膜图形顺序是否对应匹配的步骤之后还包括:如果两者不对应匹配,则

对该待仿真区域进行对称变换;

以对称变换后的待仿真区域的最小坐标值为原点,对该待仿真区域内的掩膜图形进行坐标平移变换;

按照坐标平移变换后的坐标,对该待仿真区域内的掩膜图形进行排序;

判断该待仿真区域内排序后的掩膜图形顺序与第一同构区域内排序后的掩膜图形顺序是否对应匹配,如果是,则该待仿真区域与所述第一同构区域构成间接同构关系,将该待仿真区域并入当前区域同构序列,并记录该待仿真区域与第一同构区域的对称变换和坐标平移变换关系作为两者的几何同构关系。

6.根据权利要求5所述的光刻仿真方法,其特征在于,所述对称变换为以下变换中的一种或两种的组合:

镜像变换:X轴镜像或Y轴镜像;

旋转变换:逆时针旋转90度、180度或270度。

7.根据权利要求2所述的光刻仿真方法,其特征在于,

所述将物理版图内的掩膜图形划分为若干个待仿真区域的步骤包括:将物理版图内的掩膜图形划分为若干个内区域;将每一个所述内区域直接相邻的掩模图形作为所述内区域对应的外区域;将所述内区域和其对应的外区域共同构成一待仿真区域;

所述对第一同构区域的光刻仿真结果进行变换的步骤之前还包括:将所述第一同构区域光刻仿真结果进行分割,获得其对应内区域的光刻仿真结果;所述对第一同构区域的光刻仿真结果进行变换的步骤包括:对第一同构区域内区域的光刻仿真结果进行变换;所述将变换后的光刻仿真结果应用于所述其他同构区域的步骤包括:将所述将变换后的第一同构区域的内区域的光刻仿真结果应用于所述其他同构区域的内区域。

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