[发明专利]一种二维排布方式的无芯转接板封装方法有效
申请号: | 201210126557.0 | 申请日: | 2012-04-27 |
公开(公告)号: | CN102651325A | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
发明(设计)人: | 张黎;赖志明;陈锦辉;陈栋 | 申请(专利权)人: | 江阴长电先进封装有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/98 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼然 |
地址: | 214429 江苏省无锡市江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 二维 排布 方式 转接 封装 方法 | ||
1.一种二维排布方式的无芯转接板封装方法,其特征在于:所述方法包括以下工艺过程:
步骤一、取载体圆片Ⅰ(7);
步骤二、在所述载体圆片Ⅰ(7)上溅射或者化学镀上金属导电层(8);
步骤三、在所述金属导电层(8)上设置高密度布线层(4),所述高密度布线层(4)的正面和背面分别设置若干个正面电极(4-1)和背面电极(4-2);
步骤四、在所述高密度布线层(4)上设置若干个芯片(2),所述芯片(2)二维排布,并以倒装的方式通过金属微凸点阵列(2-2)固定于正面电极(4-1)上,芯片本体(2-1)、金属微凸点阵列(2-2)与高密度布线层(4)的间隙用填充料(3)形成底部填充;
步骤五、转接板基体(1)以包封的方式填满整个芯片(2)阵列,形成带有芯片(2)阵列的圆片;
步骤六、取载体圆片Ⅱ(9);
步骤七、在载体圆片Ⅱ(9)上形成临时键合层(10);
步骤八、将上述带有临时键合层(10)的载体圆片Ⅱ(9)上下翻转180度后与带有芯片(2)阵列的圆片键合起来;
步骤九、将上述载体圆片Ⅰ(7)进行减薄,得到目标厚度;
步骤十、将上述达到目标厚度的载体圆片Ⅰ(7)进行刻蚀,完全去掉载体圆片Ⅰ(7)露出金属导电层(8);
步骤十一、腐蚀掉金属导电层(8),露出高密度布线层(4)的背面电极(4-2);
步骤十二、在高密度布线层(4)的背面电极(4-2)上通过光刻、电镀的方式形成金属柱阵列(5);
步骤十三、转接板基体(1)再次以包封的方式填充整个金属柱阵列(5),并露出金属柱阵列(5)的终端;
步骤十四、通过植球或印刷焊膏、回流的方法在金属柱阵列(5)的终端形成BGA焊球凸点阵列(6);
步骤十五、将带有芯片(2)阵列的圆片与载体圆片Ⅱ(9)脱离,形成无芯转接板封装结构。
2.根据权利要求1所述的一种二维排布方式的无芯转接板封装方法,其特征在于:步骤四中,所述芯片(2)与高密度布线层(4)的连接通过金属微凸点阵列(2-2)并采用倒装的方式,该倒装过程可以是倒装后回流,也可以是直接热压键合。
3.根据权利要求1所述的一种二维排布方式的无芯转接板封装方法,其特征在于:步骤四中,所述金属微凸点阵列(2-2)的底填方式采用流动性底填或非流动性底填。
4.根据权利要求1所述的一种二维排布方式的无芯转接板封装方法,其特征在于:步骤十中,所述刻蚀方式可使用干法刻蚀,也可使用湿法刻蚀。
5.根据权利要求1所述的一种二维排布方式的无芯转接板封装方法,其特征在于:步骤十三中,所述金属柱露出方式采用直接薄膜包封方式或包封后减薄抛光方式。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造