[发明专利]一种二维排布方式的无芯转接板封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶圆级转接板封装方法，属于集成电路或分立器件封装技术领域。

背景技术

[0002] 近年来，随着电子封装技术的高速发展，一些的新的封装形式不断出现。如基于圆片的晶圆级芯片尺寸封装、三维堆叠封装技术和倒装封装技术等。这些新型封装技术的出现，不仅提升了芯片的工作性能，也大大节省了封装尺寸和体积。

受限于芯片尺寸和可靠性能的因素，圆片级封装技术的应用范围还局限于一些低脚数的产品。三维堆叠技术中，虽然引线键合可以实现多层堆叠，但在高速信号传输模块的应用方面受制于引线线长和直径，因而大面积的使用还是在闪存、智能卡、射频身份识别等方面。而一些高速处理芯片，如中央位处理器（CPU）、图形处理器（GPU）、芯片组（Chipset）等的封装形式仍然以倒装方式进行。目前的倒装的转接板主要有：

1）BT类树脂基转接板；

2）陶瓷基转接板；

3）带有硅通孔的硅基转接板。

其中BT类树脂基转接板和陶瓷基转接板在金属布线中受工艺限制，其线宽线距较大，在高密度封装结构的设计中无法满足应用要求。带有硅通孔的硅基转接板采用硅通孔中填充金属的方式，以圆片的方式进行金属布线，可以实现精细线宽和线距结构，可实现高密度的转接能力，其结构如图1所示，该工艺有四大难点：

1）硅通孔形成。通常的硅通孔形成方式是利用深反应离子刻蚀的方法，因而形成效率较低，且因刻蚀过程控制因素，形成的通孔壁为扇贝结构；

2）基底介电层沉积困难。为保证硅与通孔金属之间的绝缘性，需在通孔壁沉积一层基底介电层，但因硅通孔尺寸极小，基底介电层的沉积就显得非常困难了；

3）通孔金属填充困难。由于通孔金属填充是预先在硅通孔内沉积种子层金属，然后采用电镀工艺进行，这种方式很难避免硅通孔内空洞缺陷（电镀金属的生长特性）；

4）寄生效应大。硅基转接板采用整块硅基，厚度在100微米级，不仅使生产成本居高不下，而且信号在厚厚的硅基转接板中来回传输过程中，因寄生效应而产生串扰信号，影响传输信号品质。

基于上述四方面的原因，利用硅通孔技术的硅基转接板技术还不具备大规模生产能力。

发明内容

本发明的目的在于克服上述硅通孔硅基转接板技术的不足，提供一种降低工艺难度和工艺成本、消除串扰信号的适用于高密度封装的晶圆级无芯转接板封装结构的实现方法。

本发明的目的是这样实现的:一种二维排布方式的无芯转接板封装方法，其包括以下工艺过程：

步骤一、取载体圆片Ⅰ； 

步骤二、在所述载体圆片Ⅰ上溅射或者化学镀上金属导电层；

步骤三、在所述金属导电层上设置高密度布线层，所述高密度布线层的正面和背面分别设置若干个正面电极和背面电极；

步骤四、在所述高密度布线层上设置若干个芯片，所述芯片二维排布，并以倒装的方式通过金属微凸点阵列固定于正面电极上，芯片本体、金属微凸点阵列与高密度布线层的间隙用填充料形成底部填充；

步骤五、转接板基体以包封的方式填满整个芯片阵列，形成带有芯片阵列的圆片；

步骤六、取载体圆片Ⅱ；

步骤七、在载体圆片Ⅱ上形成临时键合层；

步骤八、将上述带有临时键合层的载体圆片Ⅱ上下翻转180度后与带有芯片阵列的圆片键合起来；

步骤九、将上述载体圆片Ⅰ进行减薄，得到目标厚度；

步骤十、将上述达到目标厚度的载体圆片Ⅰ进行刻蚀，完全去掉载体圆片Ⅰ露出金属导电层；

步骤十一、腐蚀掉金属导电层，露出高密度布线层的背面电极；

步骤十二、在高密度布线层的背面电极上通过光刻、电镀的方式形成金属柱阵列；

步骤十三、转接板基体再次以包封的方式填充整个金属柱阵列，并露出金属柱阵列的终端；

步骤十四、通过植球或印刷焊膏、回流的方法在金属柱阵列的终端形成BGA焊球凸点阵列；

步骤十五、将带有芯片阵列的圆片与载体圆片Ⅱ脱离，形成无芯转接板封装结构。

步骤四中，所述芯片与高密度布线层的连接通过金属微凸点阵列并采用倒装的方式，该倒装过程可以是倒装后回流，也可以是直接热压键合。

步骤四中，所述金属微凸点阵列的底填方式采用流动性底填或非流动性底填。

步骤十中，所述刻蚀方式可使用干法刻蚀，也可使用湿法刻蚀。

步骤十三中，所述金属柱露出方式采用直接薄膜包封方式或包封后减薄抛光方式。

本发明的有益效果是：