[发明专利]Bipolar低压工艺中耐高压器件及其制造方法

权利要求书

1.一种Bipolar低压工艺中耐高压器件，其特征在于，包括：

半导体衬底和位于其上的外延层；

集电区、发射区和基区，所述集电区、发射区和基区位于所述外延层中，所述发射区位于所述基区中，所述集电区环绕于所述基区外围；

埋层，所述埋层位于所述半导体衬底和外延层中，所述集电区与所述埋层相连；

上隔离区和下隔离区，所述下隔离区位于所述半导体衬底和外延层相邻处，所述上隔离区位于所述下隔离区上的外延层中，所述下隔离区与上隔离区相连、并环绕所述集电区外围；

轻掺杂区，所述轻掺杂区位于外延层中的所述上隔离区上方，与所述上隔离区相连；

第一互连层，位于所述外延层上，包括第一层间介质层、氮化硅层、第一互连线和地极引线，所述第一层间介质层在所述上隔离区、基区、集电区以及发射区上形成有若干第一接触孔，第一互连线通过第一接触孔与所述基区、集电区以及发射区相连，所述氮化硅层位于所述第一层间介质层上，所述地极引线通过第一接触孔与所述轻掺杂区相连；

第二互连层，位于所述第一互连层上，包括第二层间介质层、第二互连线和钝化层，在所述第二层间介质层上形成有若干第二接触孔，所述第二互连线通过第二接触孔与所述第一互连线相连，以实现所述基区、集电区和发射区的电性引出，所述钝化层位于所述第二互连线上。

2.如权利要求1所述的Bipolar低压工艺中耐高压器件，其特征在于，所述外延层厚度为2.5um～4um，所述外延层电阻率为1.0Ω·cm～2.2Ω·cm。

3.如权利要求1所述的Bipolar低压工艺中耐高压器件，其特征在于，所述半导体衬底、下隔离、上隔离、轻掺杂区和基区的掺杂类型为P型，所述外延层、埋层、发射区和集电区的掺杂类型为N型。

4.如权利要求1所述的Bipolar低压工艺中耐高压器件，其特征在于，所述轻掺杂区的表面浓度小于上隔离区的表面浓度，所述轻掺杂区的宽度大于所述上隔离区的宽度。

5.如权利要求4所述的Bipolar低压工艺中耐高压器件，其特征在于，所述轻掺杂区的表面浓度比上隔离区的表面浓度小两个数量级。

6.如权利要求1所述的Bipolar低压工艺中耐高压器件，其特征在于，所述轻掺杂区与所述集电区的水平距离大于8um。

7.如权利要求1所述的Bipolar低压工艺中耐高压器件，其特征在于，所述轻掺杂区朝向所述集电区的一侧超出所述上隔离区的宽度为0.5um～2um。

8.如权利要求1所述的Bipolar低压工艺中耐高压器件，其特征在于，所述地极引线朝向所述集电区的一侧超出所述轻掺杂区。

9.如权利要求8所述的Bipolar低压工艺中耐高压器件，其特征在于，所述地极引线朝向所述集电区的一侧超出所述轻掺杂区的宽度大于3um，所述地极引线到所述集电区的距离小于所述集电区到所述轻掺杂区的距离一半。

10.如权利要求1所述的Bipolar低压工艺中耐高压器件，其特征在于，所述钝化层包括氮化硅薄膜层。

11.一种Bipolar低压工艺中耐高压器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成相邻的下隔离区和埋层；

在所述半导体衬底上形成外延层；

在所述外延层中形成上隔离区、基区和集电区，所述集电区环绕于所述基区外围，所述上隔离区位于所述下隔离区上并环绕于所述集电区外围；

在所述外延层中形成轻掺杂区和发射区，所述轻掺杂区位于所述上隔离区上方并与所述上隔离区相连，所述发射区位于所述基区中；

在所述外延层上形成第一互连层，所述第一互连层包括第一层间介质层、氮化硅层、第一互连线和地极引线，所述第一层间介质层在所述上隔离区、基区、集电区以及发射区上均形成有若干第一接触孔，第一互连线通过第一接触孔与所述基区、集电区以及发射区相连，所述氮化硅层位于所述第一层间介质层上，所述地极引线通过第一接触孔与所述轻掺杂区相连；

在所述第一互连层上形成第二互连层，所述第二互连层包括第二层间介质层、第二互连线和钝化层，在所述第二层间介质层上形成有若干第二接触孔，所述第二互连线通过第二接触孔与所述第一互连线相连，以实现所述基区、集电区和发射区的电性引出，所述钝化层位于所述第二互连线上。