[发明专利]半导体芯片、半导体封装结构以及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体芯片的方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底具有第一表面以及第二表面；

在所述基底中形成贯穿孔，所述贯穿孔贯穿所述第一表面以及所述第二表面，且所述贯穿孔填满有牺牲层；

移除所述牺牲层；

在所述基底的所述第二表面形成绝缘层，所述绝缘层具有第二开孔暴露所述贯穿孔；以及

在所述贯穿孔以及所述第二开孔中填满导电层，以同时在所述贯穿孔中形成穿硅通孔，以及在所述第二开孔中形成凸点。

2.根据权利要求1所述的形成半导体芯片的方法，其特征在于，还包括在所述基底的所述第一表面上形成金属内连线系统，所述金属内连线系统电性连接所述穿硅通孔。

3.根据权利要求1所述的形成半导体芯片的方法，其特征在于形成所述贯穿孔的步骤包括：

从所述基底的所述第一表面上形成开孔；

以所述牺牲层填满所述开孔；以及

从所述基底的所述第二表面的一侧进行薄化工艺，以暴露所述牺牲层，使得所述开孔形成所述贯穿孔。

4.根据权利要求1所述的形成半导体芯片的方法，其特征在于在形成所述导电层之前，还包括在所述贯穿孔以及所述第二开孔的表面形成凸点下金属层。

5.根据权利要求1所述的形成半导体芯片的方法，其特征在于在形成所述导电层之前，还包括在所述贯穿孔的表面形成介电层。

6.一种形成半导体堆叠结构的方法，其特征在于，包括：

以权利要求2所述的形成半导体芯片的方法形成至少两个半导体芯片；

进行堆叠工艺，将其中一个半导体芯片的所述金属内连线系统电性接触另一个半导体芯片的所述凸点。

7.一种半导体芯片，其特征在于，包括：

基底，所述基底具有第一表面以及第二表面；

贯穿孔，贯穿所述基底的所述第一表面以及所述第二表面；

绝缘层，设置在所述基底的所述第二表面上，所述绝缘层具有第二开孔对应所述贯穿孔；

凸点下金属层，共形且连续地设置在所述贯穿孔以及所述第二开孔的表面；

穿硅通孔，设置在所述贯穿孔中；以及

凸点，设置在所述第二开孔中。

8.根据权利要求7所述的半导体芯片，其特征在于，所述穿硅通孔与所述凸点是一体成型。

9.根据权利要求7所述的半导体芯片，其特征在于，还包括金属内连线系统设置在所述基底的所述第一表面上，并与所述穿硅通孔电性连接。

10.一种半导体堆叠结构，其特征在于，包括至少两个如权利要求9所述的半导体芯片，其中一个半导体芯片的所述金属内连线系统，接触另一个半导体芯片的所述凸点。