[发明专利]单层ITO布线结构无效
申请号: | 201210130048.5 | 申请日: | 2012-04-28 |
公开(公告)号: | CN102707836A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 张开立 | 申请(专利权)人: | 苏州瀚瑞微电子有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
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地址: | 215163 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单层 ito 布线 结构 | ||
1.一种单层ITO的布线结构,所述单层ITO上设有若干电极块,分别交错排列形成若干纵行和纵列,其特征在于:所述电极块的形状是由上、下两排等幅度、方向相反的矩形波封闭围成,所述上排矩形波与下排矩形波之间形成空隙,且所述空隙的长度与上排矩形波的波峰长度以及下排矩形波的波谷长度相同。
2.如权利要求1所述单层ITO的布线结构,其特征在于:所述电极块的形状是由上、下两排等幅度、方向相反的对称矩形波封闭围成,且大致是由“土”字状组成。
3.如权利要求2所述单层ITO的布线结构,其特征在于:所述电极块可以由一个“土”字状组成,也可以由若干个“土”字状连接组成。
4.如权利要求1所述单层ITO的布线结构,其特征在于:所述电极块的形状是由上、下两排等幅度、方向相反的不对称矩形波封闭围成,所述电极块的形状大致是由“凸”字状组成。
5.如权利要求4所述的单层ITO的布线结构,其特征在于:所述电极块可以由一个“凸”字状组成,也可以由若干个“凸”字状连接组成。
6.如权利要求1所述单层ITO的布线结构,其特征在于:所述电极块中任意一排矩形波的波峰和波谷的长度不同,上排矩形波中波谷处的长度大于波峰处的长度,而下排矩形波中波峰处的长度大于波谷处的长度。
7.如权利要求1所述单层ITO的布线结构,其特征在于:所述单层ITO中任意一行电极块的上、下排矩形波的波峰、波谷处分别设置在与其相邻行电极块的下、上排矩形波的波峰、波谷处。
8.如权利要求1所述单层ITO的布线结构,其特征在于:位于所述单层ITO边缘处的电极块是所述电极块的一半。
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