[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供基板；

在所述基板上依次沉积透明导电层和第一金属层，利用一多段式调整光罩对所述透明导电层和第一金属层进行图案化，形成栅极、共通电极和反射层，所述栅极包括透明导电层和第一金属层，所述共通电极由透明导电层形成，所述反射层由所述第一金属层形成；

在所述基板上继续沉积栅绝缘层，利用第一光罩对所述栅绝缘层进行图案化，保留位于栅极上方的栅绝缘层；

在所述基板上继续沉积半导体层，利用第二光罩对所述半导体层进行图案化，保留位于所述栅极上方的半导体层；以及

在所述基板上继续沉积第二金属层，利用第三光罩来图案化第二金属层，在半导体层上形成包括第二金属层的源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，利用第一光罩对栅绝缘层进行图案化的步骤中，保留所述共通电极上的栅绝缘层。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述源极和漏极后，所述方法还包括以下步骤：

在所述共通电极上保留的栅绝缘层、构成薄膜晶体管的所述源极、漏极和半导体层上沉积一平坦化层，所述平坦化层由透明绝缘材质形成。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，利用第一光罩对栅绝缘层进行图案化的步骤中，将所述共通电极上的栅绝缘层刻蚀去除。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述源极和漏极后，所述方法还包括以下步骤：

在所述共通电极、所述共通电极上的反射层、构成薄膜晶体管的所述源极、漏极和半导体层上沉积一平坦化层，所述平坦化层由透明绝缘材质形成。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述多段式调整光罩为灰阶色调光罩、堆栈图层光罩或半色调光罩。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述透明导电层和第一金属层通过溅射法沉积形成。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一金属层依次由第一铝金属层和第一钼金属层堆栈构成，所述第二金属层依次由第二钼金属层、第二铝金属层以及第三钼金属层堆栈构成。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，利用所述多段式调整光罩对所述透明导电层和第一金属层进行图案化形成栅极、共通电极以及反射层的步骤中，使用硝酸、磷酸以及醋酸的混合液对所述第一金属层进行湿式刻蚀，使用草酸对所述透明导电层进行湿式刻蚀。

10.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括：

基板；

多个薄膜晶体管，设置于所述基板上，其中每一所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、半导体层、源极及漏极，所述栅极、所述栅绝缘层、所述半导体层、所述源极及漏极是依序形成于所述基板上；所述栅极由透明导电层和第一金属层堆栈构成，所述源极及所述漏极由第二金属层堆栈构成；

共通电极，设置于所述基板上，并由所述透明导电层构成；以及

反射层，设置于所述共通电极上，并由所述第一金属层构成。