[发明专利]多孔膜及其制造方法

权利要求书

1.一种多孔膜的制造方法，其特征在于该制造方法包括以下步骤：

挤压形成第一薄膜；

对该第一薄膜进行热处理以及第一延伸处理；

挤压形成第二薄膜；

对该第二薄膜进行热处理；

将经过热处理以及第一延伸处理后的该第一薄膜以及进行热处理后的该第二薄膜叠加，并贴合形成叠加式薄膜；以及

对该叠加式薄膜进行第二延伸处理形成该多孔膜。

2.如权利要求1所述的多孔膜的制造方法，其特征在于该第一薄膜的耐热性低于该第二薄膜的耐热性。

3.如权利要求1所述的多孔膜的制造方法，其特征在于该挤压形成该第一薄膜或该挤压形成该第二薄膜的方法包括缝模法、T模法或吹模薄膜法。

4.如权利要求1所述的多孔膜的制造方法，其特征在于对该第一薄膜进行第一延伸处理包括：

先对该第一薄膜进行第一段延伸处理；

再对该第一薄膜进行第二段延伸处理；

其中，该第一段延伸处理的延伸倍率小于该第二段延伸处理的延伸倍率。

5.如权利要求4所述的多孔膜的制造方法，其特征在于该第一段延伸处理的延伸溫度为10-40℃，延伸倍率为20％-50％；该第二段延伸处理的延伸溫度为90-120℃，延伸倍率为80％～120％。

6.如权利要求1所述的多孔膜的制造方法，其特征在于对该叠加式薄膜进行第二延伸处理包括：

对该叠加式薄膜进行第三段延伸处理；

再对该叠加式薄膜进行第四段延伸处理；

再对该叠加式薄膜进行回缩处理；

其中，且该第三段延伸处理的延伸倍率小于该第四段延伸处理的延伸倍率。

7.如权利要求6所述的多孔膜的制造方法，其特征在于该第三段延伸处理的延伸溫度为10-40℃，延伸倍率为10％-30％；该第四段延伸处理的延伸溫度为120-150℃，延伸倍率为100％～150％；该回缩处理的溫度为120-150℃，延伸倍率为-5％～-15％。

8.如权利要求1所述的多孔膜的制造方法，其特征在于该叠加式薄膜为三层薄膜。

9.如权利要求8所述的多孔膜的制造方法，其特征在于该三层薄膜为聚丙烯-聚乙烯-聚丙烯薄膜，且该第一薄膜为聚乙烯膜。

10.如权利要求1所述的多孔膜的制造方法，其特征在于该多孔膜的制造方法为干法制膜法。

11.如权利要求1所述的多孔膜的制造方法，其特征在于该多孔膜为电池隔离膜。

12.一种多孔膜，其特征在于该多孔膜为采用如权利要求1-11中任意一项所述的制造方法制成的多孔膜。