[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一栅极线，所述第一栅极线以第一间隔布置在半导体衬底之上且每个第一栅极线都包括以金属硅化物层作为顶层的多个层；

第二栅极线，所述第二栅极线以大于所述第一间隔的第二间隔布置在所述半导体衬底之上且每个第二栅极线都包括以金属硅化物层作为顶层的多个层；

第一绝缘层，所述第一绝缘层形成在所述半导体衬底之上的第一栅极线之间且被配置成包括空气间隙；

第二绝缘层，所述第二绝缘层形成在所述第二栅极线的彼此相邻的侧壁上；

刻蚀停止层，所述刻蚀停止层形成在所述第二绝缘层的侧壁上；

第三绝缘层，所述第三绝缘层形成在所述第一栅极线之上和之间以及所述第二栅极线之上和之间；

形成在所述第三绝缘层之上的覆盖层；以及

接触插塞，所述接触插塞被形成为在所述第二间隔中穿通所述覆盖层和所述第三绝缘层，以便与形成在所述第二栅极线之间的半导体衬底中的结耦接。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述金属硅化物层中的每个是硅化钨层、硅化钴层和硅化镍层中的任何一种。

3.如权利要求1所述的半导体器件，还包括形成在所述刻蚀停止层与所述接触插塞之间的第四绝缘层。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述覆盖层由氮化物层形成。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一绝缘层的高度比所述第一栅极线的高度低。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第三绝缘层与所述第一栅极线和所述第二栅极线的金属硅化物层接触。

7.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底之上形成栅极线，每个栅极线包括以硅层作为顶层的多个层；

在所述栅极线之间形成反应停止层，使得每个栅极线的硅层被暴露出来；

将每个栅极线的所述硅层的暴露出来的部分形成为金属硅化物层；

去除所述反应停止层；以及

在所述栅极线之上和之间形成绝缘层，每个栅极线包括金属硅化物层。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述栅极线之间的反应停止层的高度比所述栅极线的高度低。

9.如权利要求7所述的方法，其中，

所述反应停止层具有钝化层与反应停止绝缘层的层叠结构，以及

在形成所述金属硅化物层之前去除所述反应停止绝缘层和所述钝化层。

10.如权利要求7所述的方法，其中，形成所述栅极线之间的反应停止层使得所述硅层被暴露出来的步骤包括以下步骤：

在所述栅极线之上和在所述半导体衬底之上形成钝化层；

在所述钝化层之上形成反应停止绝缘层；以及

刻蚀所述钝化层和所述反应停止绝缘层，使得所述钝化层和所述反应停止绝缘层仅存留在所述栅极线之间。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述钝化层由氧化物层形成。

12.如权利要求10所述的方法，其中，所述反应停止绝缘层由旋涂碳层形成。

13.如权利要求9所述的方法，其中，所述反应停止绝缘层由光刻胶形成。

14.如权利要求10所述的方法，其中，刻蚀所述钝化层和所述反应停止绝缘层的步骤包括以下步骤：

执行化学机械抛光工艺，使得所述钝化层和所述反应停止绝缘层仅存留在所述栅极线之间；以及

利用回蚀工艺刻蚀所述钝化层和所述反应停止层，使得所述栅极线之间的钝化层和反应停止层具有比所述栅极线低的高度。

15.如权利要求7所述的方法，其中，所述金属硅化物层是硅化钨层、硅化钴层和硅化镍层中的任何一种。

16.如权利要求7所述的方法，其中，

每个栅极线是源极选择线、字线和漏极选择线中的一种，

在所述绝缘层的在两个相邻字线之间、在彼此相邻的源极选择线与字线之间、在彼此相邻的漏极选择线与字线之间的部分内形成间隙，以及

所述绝缘层被形成在相邻的两个源极选择线的侧壁上和相邻的两个漏极选择线的侧壁上。