[发明专利]半导体封装胶用聚硅氧烷

权利要求书

1.半导体封装胶用聚硅氧烷，其特征在于：该聚硅氧烷中每分子中至少含有一个与硅连接的烯烃基和芳香基的聚硅氧烷，结构式如下：

(R¹R²2SiO1/2)a·(R¹2SiO2/2)b·(R¹R²SiO2/2)c·(R³SiO2/2)d·(R³SiO3/2)e

其中R¹为烷基，R²为烯烃基，R³为芳香基，所述的a+b+c+d+e=100，a=1~20，b=10~20，c=10~20，d=0~10,e=30~60。

2.根据权利要求1所述的半导体封装胶用聚硅氧烷，其特征在于：R¹为甲基、乙基、丙基或丁基，优选为甲基；R²为乙烯基，烯丙基或丁烯基，优选为乙烯基；R³为苯基，甲苯基或萘基，优选为苯基。

3.根据权利要求1所述的半导体封装胶用聚硅氧烷，其特征在于：所述的聚硅氧烷的粘度为100~100000mPa，最佳为500~20000mPa。

4.一种制备权利要求1或2或3所述的半导体封装胶用聚硅氧烷的制备方法，其特征在于该方法包括以下的步骤：

1）将催化剂、溶剂、封端剂、甲基硅氧烷、甲基乙烯基硅氧烷、苯基硅氧烷在室温或加热下边搅拌边滴加苯基三烷氧基硅烷，滴完苯基三烷氧基硅烷后在室温或加热下反应3~18小时，静止，分去上层酸水，下层油相加水洗涤，将油相洗到中性；

2）在150℃，-0.099Mpa下拔去低组份，得无色透明产品。

5.根据权利要求1所述的半导体封装胶用聚硅氧烷的制备方法，其特征在于：催化剂为盐酸、硫酸和三氟甲烷磺酸中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的半导体封装胶用聚硅氧烷的制备方法，其特征在于：溶剂为甲苯、二甲苯和环已烷中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的半导体封装胶用聚硅氧烷的制备方法，其特征在于：封端剂为六甲基二硅氧烷、四甲基二乙烯基二硅氧烷和四苯基二甲基二硅氧烷中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的半导体封装胶用聚硅氧烷的制备方法，其特征在于：甲基硅氧烷为八甲基环四硅氧烷、二甲基二甲氧基硅烷和二甲基二乙氧基硅烷中的一种或多种。

9.根据权利要求1所述的半导体封装胶用聚硅氧烷的制备方法，其特征在于：甲基乙烯基硅氧烷为四甲基四乙烯基环四硅氧烷、甲基乙烯基二甲氧基硅烷和甲基乙烯基二乙氧基硅烷中的一种或多种。

10.根据权利要求1所述的半导体封装胶用聚硅氧烷的制备方法，其特征在于：苯基硅氧烷为二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、甲基苯基二甲氧基硅烷、甲基苯基二乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷和苯基三乙氧基硅烷中的一种或多种。