[发明专利]半导体封装胶用聚硅氧烷

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体封装胶，尤其涉及一种半导体封装胶用聚硅氧烷。

背景技术

传统的半导体元件是用环氧树脂封装的，但在使用中会发生黄变，从而使光透性变差，反复使用中环氧树脂易变脆，强度下降。为解决上述问题，又采用有机硅改性环氧树脂组合物、硅胶等作为半导体元件的封装材料，这样提高了耐紫外和热老化性能，但随着半导体元件功率的不断提高，有机硅改性的环氧树脂封装材料仍不能满足半导体元器件的要求,本发明涉及的半导体封装胶原料中引入了苯基较好地解决了上述问题。对于LED灯来说,由于ＧaN芯片具有高的折射率，为了能够有效的减少界面折射带来的光损失，尽可能提高取光效率，要求硅胶和透镜材料的折射率尽可能高。传统的硅胶或硅树脂材料的折光指数仅为1.41左右，而理想封装材料的折光指数应该尽可能的接近GaN的折光指数。

发明内容

为了解决上述的技术问题，本发明的一个目的是提供一种半导体封装胶用聚硅氧烷，本发明的另外一个目的是提供上述的聚硅氧烷的制备方法，该聚硅氧烷与一种固化剂固化后具有高折射率，高透光度，高物理强度，抗黄变，耐紫外和热老化的特性。

为了实现上述的第一个目的，本发明采用了以下的技术方案：

半导体封装胶用聚硅氧烷，该聚硅氧烷中每分子中至少含有一个与硅连接的烯烃基和芳香基的聚硅氧烷，结构式如下：

(R¹R²2SiO1/2)a·(R¹2SiO2/2)b·(R¹R²SiO2/2)c·(R³SiO2/2)d·(R³SiO3/2)e

其中R¹为烷基，R²为烯烃基，R³为芳香基，所述的a+b+c+d+e=100，a=1~20，b=10~20，c=10~20，d=0~10,e=30~60。

作为优选，所述的R¹为甲基、乙基、丙基或丁基，优选为甲基；R²为乙烯基，烯丙基或丁烯基，优选为乙烯基；R³为苯基，甲苯基或萘基，优选为苯基。

作为优选，所述的聚硅氧烷的粘度为100~100000mPa，最佳为500~20000mPa。

为了实现上述的第二个目的，本发明采用了以下的技术方案：

一种制备上述的半导体封装胶用聚硅氧烷的制备方法，该方法包括以下的步骤：

1）将催化剂、溶剂、封端剂、甲基硅氧烷、甲基乙烯基硅氧烷、苯基硅氧烷在室温或加热下边搅拌边滴加苯基三烷氧基硅烷，滴完苯基三烷氧基硅烷后在室温或加热下反应3~18小时，静止，分去上层酸水，下层油相加水洗涤，将油相洗到中性；

2）在150℃，-0.099Mpa下拔去低组份，得无色透明产品。

作为优选，上述的催化剂为盐酸、硫酸和三氟甲烷磺酸中的一种或多种。

作为优选，上述的溶剂为甲苯、二甲苯和环已烷中的一种或多种。

作为优选，上述的封端剂为六甲基二硅氧烷、四甲基二乙烯基二硅氧烷和四苯基二甲基二硅氧烷中的一种或多种。

作为优选，上述的甲基硅氧烷为八甲基环四硅氧烷、二甲基二甲氧基硅烷和二甲基二乙氧基硅烷中的一种或多种。

作为优选，上述的甲基乙烯基硅氧烷为四甲基四乙烯基环四硅氧烷、甲基乙烯基二甲氧基硅烷和甲基乙烯基二乙氧基硅烷中的一种或多种。

作为优选，上述的苯基硅氧烷为二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、甲基苯基二甲氧基硅烷、甲基苯基二乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷和苯基三乙氧基硅烷中的一种或多种。

本发明的聚硅氧烷（以下称聚硅氧烷A）可以用作为半导体封装胶组合物的主剂。作为优选，半导体封装胶组合物的固化剂可以为另外一种聚硅氧烷B。聚硅氧烷B，每分子中至少含有二个与硅连接的氢原子和芳香基的氧基硅烷，结构式如下：

(R¹R⁴SiO1/2)o·(R¹2SiO2/2)p·(R¹R⁴SiO2/2)q·(R³SiO2/2)r·(R³SiO3/2)s