[发明专利]一种电压偏置的混频电路

权利要求书

1.一种电压偏置的混频电路，其特征在于，包括：混频电路、跨阻电路、耦合电容C1、C2以及偏置电阻R1、R2；

输入差分电流信号分别通过所述耦合电容C1、C2作用到所述混频电路的第一输入端以及第二输入端；

所述混频电路的第一输入端与所述偏置电阻R1的第一端相连，所述混频电路的第二输入端与所述偏置电阻R2的第一端相连，所述偏置电阻R1的第二端与所述偏置电阻R2的第二端相连并连接偏置电压VB；

本振信号LO_P作用到所述混频电路的第一本振信号输入端以及第二本振信号输入端；

所述跨阻电路的第一输入端与所述混频电路的第一输出端相连，所述跨阻电路的第二输入端与所述混频电路的第二输出端相连，将所述混频电路输出的电流信号转化为电压信号IF_P以及电压信号IF_N。

2.根据权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述混频电路包括：N型MOS管M1、M2、M3、M4；

所述N型MOS管M1的源极与所述N型MOS管M2的源极相连，所述N型MOS管M3的源极与所述N型MOS管M4的源极相连，所述N型MOS管M1的漏极与所述N型MOS管M3的漏极相连，所述N型MOS管M2的漏极与所述N型MOS管M4的漏极相连，所述N型MOS管M2的栅极与所述N型MOS管M3的栅极相连，所述N型MOS管M1的栅极作为所述混频电路的第一本振信号输入端，所述N型MOS管M4的栅极作为所述混频电路的第二本振信号输入端，所述N型MOS管M1的源极作为所述混频电路的第一输入端，所述N型MOS管M3的源极作为所述混频电路的第二输入端，所述N型MOS管M1的漏极作为所述混频电路的第一输出端，所述N型MOS管M4的漏极作为所述混频电路的第二输出端。

3.根据权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述混频电路包括：P型MOS管MP1、MP2、MP3、MP4；

所述P型MOS管MP1的漏极与所述P型MOS管MP2的漏极相连，所述P型MOS管MP3的漏极与所述P型MOS管MP4的漏极相连，所述P型MOS管MP1的源极与所述P型MOS管MP3的源极相连，所述P型MOS管MP2的源极与所述P型MOS管MP4的源极相连，所述P型MOS管MP2的栅极与所述P型MOS管MP3的栅极相连，所述P型MOS管MP1的栅极作为所述混频电路的第一本振信号输入端，所述P型MOS管MP4的栅极作为所述混频电路的第二本振信号输入端，所述P型MOS管MP1的漏极作为所述混频电路的第一输入端，所述P型MOS管MP3的漏极作为所述混频电路的第二输入端，所述P型MOS管MP1的源极作为所述混频电路的第一输出端，所述P型MOS管MP4的源极作为所述混频电路的第二输出端。

4.根据权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述跨阻电路包括：电阻R3、R4、运算跨导放大器A2以及电容C3、C4；

所述运算跨导放大器A2的第一输入端分别与所述电阻R3的第一端以及所述电容C3的第一端相连，所述运算跨导放大器A2的第二输入端分别与所述电阻R4的第一端以及所述电容C4的第一端相连，所述运算跨导放大器A2的第一输出端分别与所述电阻R3的第二端以及所述电容C3的第二端相连，所述运算跨导放大器A2的第二输出端分别与所述电阻R4的第二端以及所述电容C4的第二端相连，所述运算跨导放大器A2的第一输出端以及第二输出端分别输出电压信号IF_P以及电压信号IF_N。

5.根据权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，还包括跨导电路，所述跨导电路用于将输入的电压信号转化为电流信号。