[发明专利]一种电压偏置的混频电路

说明书

技术领域

本发明涉及混频器电路领域，更具体的说，是涉及一种电压偏置的混频电路。

背景技术

随着移动通信技术以及计算机技术的飞速发展，混频器得到了广泛的应用。混频器简称MIXER，它将输入信号与本振信号混频，并将输入信号的频谱搬移到较高的频率或者较低的频率。具体为：混频器将输入信号搬移到较高的频谱范围，称为上变频，处于发射通路上；混频器将输入信号搬移到较低的频谱范围，称为下变频，处于接收通路上。

现有技术中，有源混频器是最常见的混频器结构，如图1所示，包括跨导管M1、M2、混频管M3、M4、M5、M6以及负载Z1、Z2。其连接关系为：跨导管M1、M2的栅极分别接收差分输入信号RF_N和RF_P，跨导管M1以及跨导管M2的源极接地，跨导管M1的漏极分别与混频管M3的源极和混频管M4的源极相连，跨导管M2的漏极分别与混频管M5的源极和混频管M6的源极相连；混频管M3的漏极与混频管M5的漏极相连并通过负载Z1与电源VDD相连，混频管M4的漏极与混频管M6的漏极相连并通过负载Z2与电源VDD相连；混频管M4的栅极与混频管M5的栅极相连，混频管M3的栅极以及混频管M6的栅级接收本振信号LO_P。

但上述电路要求跨导管M1、M2始终处于饱和区时电路才能正常工作，这要求跨导管M1、M2的漏端电压尽量大，而过大的漏端电压会导致混频管M3、M4、M5、M6在本振信号LO_P、LO_N的作用下，不能很好的导通与关断。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种电压偏置的混频电路，以克服现有技术中混频器对本振信号要强度求过高的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种电压偏置的混频电路，包括：混频电路、跨阻电路、耦合电容C1、C2以及偏置电阻R1、R2；

输入差分电流信号分别通过所述耦合电容C1、C2作用到所述混频电路的第一输入端以及第二输入端；

所述混频电路的第一输入端与所述偏置电阻R1的第一端相连，所述混频电路的第二输入端与所述偏置电阻R2的第一端相连，所述偏置电阻R1的第二端与所述偏置电阻R2的第二端相连并连接偏置电压VB；

本振信号LO_P作用到所述混频电路的第一本振信号输入端以及第二本振信号输入端；

所述跨阻电路的第一输入端与所述混频电路的第一输出端相连，所述跨阻电路的第二输入端与所述混频电路的第二输出端相连，将所述混频电路输出的电流信号转化为电压信号IF_P以及电压信号IF_N。

优选的，所述混频电路包括：N型MOS管M1、M2、M3、M4；

所述N型MOS管M1的源极与所述N型MOS管M2的源极相连，所述N型MOS管M3的源极与所述N型MOS管M4的源极相连，所述N型MOS管M1的漏极与所述N型MOS管M3的漏极相连，所述N型MOS管M2的漏极与所述N型MOS管M4的漏极相连，所述N型MOS管M2的栅极与所述N型MOS管M3的栅极相连，所述N型MOS管M1的栅极作为所述混频电路的第一本振信号输入端，所述N型MOS管M4的栅极作为所述混频电路的第二本振信号输入端，所述N型MOS管M1的源极作为所述混频电路的第一输入端，所述N型MOS管M3的源极作为所述混频电路的第二输入端，所述N型MOS管M1的漏极作为所述混频电路的第一输出端，所述N型MOS管M4的漏极作为所述混频电路的第二输出端。

优选的，所述混频电路包括：P型MOS管MP1、MP2、MP3、MP4；

所述P型MOS管MP1的漏极与所述P型MOS管MP2的漏极相连，所述P型MOS管MP3的漏极与所述P型MOS管MP4的漏极相连，所述P型MOS管MP1的源极与所述P型MOS管MP3的源极相连，所述P型MOS管MP2的源极与所述P型MOS管MP4的源极相连，所述P型MOS管MP2的栅极与所述P型MOS管MP3的栅极相连，所述P型MOS管MP1的栅极作为所述混频电路的第一本振信号输入端，所述P型MOS管MP4的栅极作为所述混频电路的第二本振信号输入端，所述P型MOS管MP1的漏极作为所述混频电路的第一输入端，所述P型MOS管MP3的漏极作为所述混频电路的第二输入端，所述P型MOS管MP1的源极作为所述混频电路的第一输出端，所述P型MOS管MP4的源极作为所述混频电路的第二输出端。

优选的，所述跨阻电路包括：电阻R3、R4、运算跨导放大器A2以及电容C3、C4；