[发明专利]降低碳辅助注入工艺流程中多晶硅栅耗尽的方法

权利要求书

1.一种降低碳辅助注入工艺流程中多晶硅栅耗尽的方法，用于制备PMOS，先提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，所述栅极一侧的半导体衬底为源极区，另一侧的半导体衬底为漏极区，其特征在于，还包括：

步骤1，制作栅极侧墙，并进行P型重掺杂硼注入后进行热退火；

步骤2，移除侧墙并进行轻掺杂漏极注入，并采用碳辅助注入工艺；

步骤3，沉积硅化物掩模以制作新的侧墙；

步骤4，形成自对准硅化物。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤2中，形成超浅结。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步骤3中，采用干法刻蚀形成侧墙。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步骤4中形成的硅化物覆盖所述源极区、漏极区以及栅极的上表面。