[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一柱和第二柱，其均从半导体基板竖直地延伸，并且均包括竖直沟道区；

第一位线，其位于所述第一柱和所述第二柱中任一者内的竖直沟道区的下方部分中；以及

层间绝缘膜，其位于所述第一柱和所述第二柱之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一位线包括金属硅化物。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

所述金属硅化物包括钴硅化物。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一位线设置在所述第一柱和所述第二柱中任一者的第一侧壁和第二侧壁处。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二位线(26)，其位于所述第一柱和所述第二柱中任一者的侧壁处且与所述第一位线接触。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，

所述第二位线包括氮化钛膜、钨膜、氮化钨膜或者它们的组合。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，

所述第二位线设置在所述第一柱和所述第二柱中任一者的第一侧壁和第二侧壁处。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

上接面区域(12a)，其位于所述第一柱和所述第二柱中任一者的竖直沟道区的上方部分中；以及

下接面区域(15)，其位于所述第一柱和所述第二柱中任一者的竖直沟道区的下方。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，

所述第一位线位于所述下接面区域的内部。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

壁氧化物层，其位于所述第一柱和所述第二柱中任一者的表面上。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，

所述壁氧化物层位于所述第一柱和所述第二柱中任一者的竖直沟道区的侧壁表面上并且延伸至所述上接面区域上。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

位于所述第一柱和所述第二柱中任一者的侧壁处的间隔物。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，

所述间隔物包括氮化物膜。

14.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，

所述上接面区域和所述下接面区域是N型区域，并且所述竖直沟道区是P型区域。

15.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，

所述上接面区域和所述下接面区域是P型区域，并且所述竖直沟道区是N型区域。

16.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

氮化物膜，其位于所述第一柱的上部和所述第二柱的上部中任一者上。

17.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述层间绝缘膜包括：

第一层间绝缘膜；以及

第二层间绝缘膜，其位于所述第一层间绝缘膜的上部的上方。

18.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一柱和所述第二柱分别包括线图案。

19.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

栅极，其位于与所述竖直沟道区对应的区域中，并与所述竖直沟道区接触。

20.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括：

电容器，其连接到所述第一柱和所述第二柱中任一者的上接面区域。

21.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体基板上形成第一柱(12)和第二柱(14)；

在所述第一柱和所述第二柱中任一者的内部形成第一位线(22)；

以及

在所述第一柱和所述第二柱之间形成层间绝缘膜(32)。

22.根据权利要求21所述的方法，其中，

形成所述第一柱和所述第二柱的步骤包括：

在所述半导体基板上形成柱硬掩模；以及

使用所述柱硬掩模作为掩模来蚀刻所述半导体基板。