[发明专利]常压化学气相沉积机台异常监控方法及系统

说明书

【技术领域】

本发明涉及半导体技术，特别是涉及一种常压化学气相沉积机台异常监控方法及系统。

【背景技术】

常压化学气相沉积(APCVD)是指在大气压下进行的一种化学气相沉积的方法，其所需的系统简单，反应速度快，成为半导体芯片生产工艺中的重要一环。目前，在芯片制造过程中，大部分所需的薄膜材料，不论是导体、半导体，或是介电材料，都可以用化学气相沉积来制备。

在日常的半导体制造工艺中，晶柱(lot)指按某种方式生成的硅柱状体，将这些晶柱切成薄片就称为晶片(wafer)，晶片是进行集成电路制造的基板，一般以直径来区分。在晶片上根据需要划分不同的区域，每个区域用于生产特定功能的芯片(die)。

常压化学气相沉积机台是在常压下对晶片表面进行化学气相沉积等相关工艺的装置，其晶片传送系统较复杂。晶片由装载传送器送入传送带，进行常压化学气相沉积，晶片经过常压化学气相沉积后，由卸载传送器将晶片从传动带末端传送至卸载位置。在晶片传输过程中，由于传送系统异常造成晶片超过正常传送位置，传感器发出的位置异常信号传到后台，后台会将所有机械手的传送停止，从而造成处于异常位置的晶片未被机械手拾取而从机台掉落划伤表面，致使其报废。

为了解决上述问题，传统的解决方法收集相关异常数据并统计出传送系统中各个零件的异常周期，定期保养更换。但这种定期保养更换影响了机台的正常工作时间，导致成本增加。

【发明内容】

基于此，有必要提供一种降低成本的常压化学气相沉积机台异常监控方法。

一种常压化学气相沉积机台异常监控方法，包括以下步骤：对卸载传送器进行监测；获取处于异常位置的晶片位置状态信息；发出控制指令自动将所述处于异常位置的晶片拾取。

在其中一个实施例中，还包括以下步骤：关闭装载传送器，停止输送未加工晶片进入常压化学气相沉积机台；等所述常压化学气相沉积机台内的晶片生产结束后发出控制信号将所述常压化学气相沉积机台关闭。

在其中一个实施例中，还包括步骤：将处于异常位置的晶片放置于预设处。

在其中一个实施例中，还包括步骤：根据所述处于异常位置的晶片位置状态信息生成异常通知，并发送至预设对象。

此外，还有必要提供一种降低成本的常压化学气相沉积机台异常监控系统。

一种常压化学气相沉积机台异常监控系统，包括：

监测装置，用于对卸载传送器进行监测，并获取处于异常位置的晶片位置状态信息；

处理器，与所述监测装置相连接，用于接收处于异常位置的晶片位置状态信息并发出控制指令；

拾取装置，与所述处理器相连接，用于根据控制指令自动将所述处于异常位置的晶片拾取。

在其中一个实施例中，所述处理器与常压化学气相沉积机台相连接，还用于关闭装载传送器，停止输送未加工晶片进入常压化学气相沉积机台，并等所述常压化学气相沉积机台内的晶片生产结束后发出控制信号将所述常压化学气相沉积机台关闭。

在其中一个实施例中，其特征在于，还包括晶片存放装置，用于存放所述处于异常位置的晶片。

在其中一个实施例中，其特征在于，所述处理器根据所述处于异常位置的晶片位置状态信息生成异常通知，并发送至预设对象。

上述常压化学气相沉积机台异常监控方法及系统中，通过对卸载传送器进行监测，发现晶片处于异常位置后将其及时拾取，防止该晶片在继续传送过程中因位置异常而导致缺陷，同时该方法及系统可以实时监控机台传送系统的异常，而不需要对其进行定期保养，降低了成本。

【附图说明】

图1为常压化学气相沉积机台的示意图；

图2为本发明一实施例的常压化学气相沉积机台异常监控方法的流程图；

图3为本发明另一实施例的常压化学气相沉积机台异常监控方法的流程图；

图4为本发明实施例中常压化学气相沉积机台异常监控系统的示意图。

【具体实施方式】

为了解决传统的常压化学气相沉积机台传动系统的异常处理方法中，收集相关异常数据并统计出传送系统中各个零件的异常周期，进行定期保养更换，从而影响了机台的正常工作时间，导致成本增加问题，提出了一种降低成本的常压化学气相沉积机台异常监控方法。