[发明专利]通过使用回复偏压来减少存储器中擦除干扰的方法与装置有效
申请号: | 201210137877.6 | 申请日: | 2012-05-07 |
公开(公告)号: | CN103390426A | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 洪俊雄;吴柏璋;张坤龙;陈耕晖 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14;G11C16/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 使用 回复 偏压 减少 存储器 擦除 干扰 方法 装置 | ||
1.一种集成电路,包含:
一非易失存储阵列具有多个存储群组;
控制电路,以擦除一第一组的一个或多个存储群组且不会擦除一第二组的一个或多个存储群组,以及施加一回复调整偏压来调整在该第二组的一个或多个存储群组中的至少一个存储群组中的存储单元的阈值电压。
2.根据权利要求1所述的集成电路,更包含:
维持一用来指示该第二组的一个或多个存储群组中的一定数目存储单元是在一编程状态的回复设定的逻辑,该一定数目存储单元接收该回复调整偏压以自由擦除该第一组的一个或多个存储群组导致的阈值电压改变中回复。
3.根据权利要求1所述的集成电路,更包含:
维持一用来指示该第二组的一个或多个存储群组中的一定数目存储单元是在一编程状态的回复设定的逻辑,该一定数目存储单元接收该回复调整偏压以自由擦除该第一组的一个或多个存储群组导致的阈值电压改变中回复,以及当施加该回复调整偏压时该存储单元的数目会增加若干次。
4.根据权利要求1所述的集成电路,更包含:
维持一用来指示该第二组的一个或多个存储群组中的一定数目存储单元是在一编程状态的回复设定的逻辑,该一定数目存储单元接收该回复调整偏压以自由擦除该第一组的一个或多个存储群组导致的阈值电压改变中回复,以及当施加该回复调整偏压至该非易失存储阵列时该存储单元的数目会增加若干次。
5.根据权利要求1所述的集成电路,
其中该控制电路通过于该回复调整偏压之前施加一擦除调整偏压而响应一擦除命令。
6.根据权利要求1所述的集成电路,
其中一相同阱区由(i)该第一组的一个或多个存储群组以及(ii)该第二组的一个或多个存储群组中的该至少一个存储群组所分享。
7.根据权利要求1所述的集成电路,
其中该控制电路通过于该回复调整偏压之前施加一擦除调整偏压至该第一组的一个或多个存储群组,且该第二组的一个或多个存储群组会于该擦除调整偏压期间内发生擦除干扰,且于该回复调整偏压期间内该擦除干扰被至少部分更正,而响应一擦除命令。
8.根据权利要求1所述的集成电路,
其中一相同阱区由(i)该第一组的一个或多个存储群组以及(ii)该第二组的一个或多个存储群组中的该至少一个存储群组所分享,
其中该控制电路通过于该回复调整偏压之前施加一擦除调整偏压,且因为与正在进行擦除的该第一组的一个或多个存储群组分享该相同阱区的该第二组的一个或多个存储群组并未正在进行擦除会于该擦除调整偏压期间内发生擦除干扰,且于该回复调整偏压期间内该擦除干扰被至少部分更正,而响应一擦除命令。
9.根据权利要求1所述的集成电路,
其中该控制电路通过施加一验证调整偏压,且该控制电路通过施加该回复调整偏压以响应指示该第二组的一个或多个存储群组中的至少一个存储单元已经受到擦除干扰影响的该验证调整偏压,而响应一擦除命令。
10.根据权利要求1所述的集成电路,
其中该回复调整偏压的施加是自该第二组的一个或多个存储群组中的至少一个存储群组中的存储单元的阈值电压改变回复,该阈值电压的改变是由擦除该第一组的一个或多个存储群组导致。
11.一种存储器操作方法,包含:
响应一擦除命令以擦除一非易失存储阵列中的一第一组的一个或多个存储群组且不会擦除该非易失存储阵列中的一第二组的一个或多个存储群组,以及施加一回复调整偏压来调整在该第二组的一个或多个存储群组中的至少一个存储群组中的存储单元的阈值电压。
12.根据权利要求11所述的方法,其中该回复调整偏压的施加是根据指示该第二组的一个或多个存储群组中的一定数目存储单元是在一编程状态的一回复设定,该一定数目存储单元接收该回复调整偏压以自由擦除该第一组的一个或多个存储群组导致的阈值电压改变中回复。
13.根据权利要求11所述的方法,其中该回复调整偏压的施加是根据指示该第二组的一个或多个存储群组中的一定数目存储单元是在一编程状态的一回复设定,该一定数目存储单元接收该回复调整偏压以自由擦除该第一组的一个或多个存储群组导致的阈值电压改变中回复,以及当施加该回复调整偏压时该存储单元的数目会增加若干次。
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