[发明专利]通过使用回复偏压来减少存储器中擦除干扰的方法与装置有效

专利信息
申请号: 201210137877.6 申请日: 2012-05-07
公开(公告)号: CN103390426A 公开(公告)日: 2013-11-13
发明(设计)人: 洪俊雄;吴柏璋;张坤龙;陈耕晖 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C16/14 分类号: G11C16/14;G11C16/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 宋焰琴
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 通过 使用 回复 偏压 减少 存储器 擦除 干扰 方法 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及存储器技术领域,尤其是一种通过使用回复偏压来减少存储器中擦除干扰的方法与装置。

背景技术

非易失存储单元的擦除算法为预编程擦除存储单元至一编程状态,之后再擦除,并且然后跟随着对过度擦除存储单元的一软编程。此预编程及软编程是擦除操作之外的额外步骤,且会更正存储阵列中被选取擦除存储单元部分的阈值电压分布。然而,此擦除算法并不会更正未被选取擦除存储单元的擦除干扰。擦除干扰是指虽然未被选取擦除存储单元中也受到某种程度擦除的效应。

发明内容

此处所描述的技术是提供一种集成电路具有一非易失存储阵列及控制电路。此非易失存储阵列分割成多个存储群组。此控制电路响应一擦除命令,以擦除一第一组的一个或多个存储群组且不会擦除一第二组的一个或多个存储群组,以及施加一回复调整偏压来调整在该第二组的一个或多个存储群组中的至少一个存储群组中的存储单元的阈值电压;此回复调整偏压可以施加至该第二组的一个或多个存储群组中的至少一个存储群组中以自擦除一第一组的一个或多个存储群组所导致的阈值电压改变回复。此擦除调整偏压是在该回复调整偏压之前施加。

通过施加回复调整偏压至该第二组的一个或多个存储群组中的至少一个存储群组中,可以于回复调整偏压施加时更正擦除干扰(至少一部分)。擦除干扰会因为一相同阱区由(i)该第一组的一个或多个存储群组以及(ii)该第二组的一个或多个存储群组中的该至少一个存储群组所分享,而在擦除调整偏压施加时发生。

在此处所描述的实施例中,此集成电路还具有维持一用来指示该第二组的一个或多个存储群组中的一定数目存储单元是在一编程状态的回复设定的逻辑。举例而言,该回复设定可以指示在存储群组中分享一阱区的存储单元的地址范围。当施加该回复调整偏压(例如至该非易失存储阵列或是至特定存储群组)时该存储单元的数目会增加若干次。

在此处所描述的实施例中,在施加该回复调整偏压之前先施加一擦除验证调整偏压。响应该擦除验证调整偏压已指示该第二组的一个或多个存储群组中的至少个存储单元正在经历擦除干扰,此控制电路则施加该回复调整偏压。

此处所揭露的技术亦包括一方法。此方法包含至少以下步骤:响应一擦除命令以擦除一非易失存储阵列中的一第一组的一个或多个存储群组且不会擦除该非易失存储阵列中的一第二组的一个或多个存储群组,以及施加一回复调整偏压来调整在该第二组的一个或多个存储群组中的至少一个存储群组中的存储单元的阈值电压。

此处描述许多不同的实施例。

附图说明

图1为显示在存储群组中未被选取被擦除存储单元的具有回复编程的擦除算法的一范例流程图。

图2显示一个由包括选取被擦除的存储群组以及选取不要被擦除的存储群组两者的多个存储群组所分享的掺杂阱区。

图3是漏极电流与栅极电压的图标,显示在低阈值电压擦除状态、在高阈值电压编程状态以及因为高阈值电压编程状态影响正在经历擦除干扰的存储单元。

图4是漏极电流与栅极电压的图标,显示在低阈值电压擦除状态、在高阈值电压编程状态以及因为正在经历回复编程以更正擦除干扰而回到高阈值电压编程状态的存储单元。

图5是根据静态设定来决定回复编程斜率的具有回复编程的一范例流程图的一部分。

图6则是根据动态设定来决定回复编程斜率的具有回复编程的一范例流程图的一部分。

图7则是根据动态设定来决定回复编程斜率的具有回复编程的一范例流程图的一部分。

图8显示根据本发明一实施例的存储集成电路的简化方块示意图,其具有一存储阵列及此处所描述的改良。

【主要元件符号说明】

150:集成电路

100:非易失存储单元阵列

101:列译码器

102:字线

103:行译码器

104:位线

105:总线

107:数据总线

106:感测放大器/数据输入结构

109:编程、擦除(具有回复)及读取调整偏压状态机构

储存回复设定的逻辑

108:偏压调整供应电压

111:数据输入线

115:数据输出线

具体实施方式

图1为显示在存储群组中未被选取被擦除存储单元的具有回复编程的擦除算法的一范例流程图。

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