[发明专利]半导体封装、半导体装置制造方法及固态成像装置无效
申请号: | 201210137985.3 | 申请日: | 2012-05-04 |
公开(公告)号: | CN102779825A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 石木田正之 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 装置 制造 方法 固态 成像 | ||
技术领域
本发明涉及半导体封装、半导体装置制造方法和固态成像装置。更具体地,本发明涉及可以提供具有较小厚度的模块的半导体封装、半导体装置制造方法和固态成像装置。
背景技术
根据现有技术,图像传感器通过管芯接合(die bonding)将其固定在基板上而被封装,并且用于这样目的的基板包括平板形式的基板和形成以使得图像传感器的光接收表面上方提供有腔的基板(例如,见JP-A-2003-218333和JP-A-2003-250072(专利文件1和2))。陶瓷基板、有机基板(刚性基板和柔性基板)共同用作上述的基板。
形成如此描述的封装的一部分的基板具有支撑图像传感器的功能和为图像传感器承托配线的功能。为了实现前面的功能,从强度的角度看希望基板具有较大的厚度。为了提供后面的功能,包括两层或更多层的多层结构通常用作配线层。基板的厚度随着层数而增加。一般而言,包括具有两层结构的配线层的基板具有0.1mm或更大的厚度,包括具有四层结构的配线层的基板具有0.2mm或更大的厚度。
发明内容
近来其中设置封装的最终产品倾向于更小且更轻,从而对具有更小厚度的图像传感器封装的需求在增加。
图1是根据现有技术的照相机模块11的截面图。
图1所示的照相机模块11包括配线基板21、图像传感器22、配线23和透镜单元24。
配线基板21包括具有多个配线图案21a的多层结构配线层,图像传感器22通过管芯接合固定在配线基板21上。配线基板21形成为使腔提供在图像传感器22的光接收表面22a之上。配线基板21和图像传感器22采用配线接合而通过配线23电连接。透镜单元24由透镜24a和支撑部分24b形成,并且支撑部分24b支撑透镜24a在配线基板21之上,透镜24a允许光入射在图像传感器22的光接收表面22a上。
这样的照相机模块11的厚度可被认为分成透镜设计因素的厚度和封装设计因素的厚度因素,透镜设计因素的厚度范围为从图像传感器22的光接收表面22a向上至透镜单元24的上表面,封装设计因素的厚度范围为从图像传感器22的光接收表面22a向下至配线基板21的下表面。
当照相机模块11具有透镜设计因素的较小厚度或光学系统保持不变时,封装设计因素的厚度必须减小。
于是,需要检查的是配线基板21的厚度减小的可能性。当配线基板21为陶瓷基板时,基板的厚度越小,配线基板21越易于破裂。当配线基板21是有机基板时,基板的厚度越小,配线基板21越易于扭曲或弯曲。
如上所述,通过减小模块中使用的根据现有技术的基板的厚度,能实现的照相机模块厚度的减小已经有限了。
在此情况下,所希望的是减小模块的厚度。
本发明的实施例针对一种半导体封装,该半导体封装包括其上固定有半导体芯片的片状薄板和包括配线层的基板,基板设置在薄板上以延伸在围绕固定半导体芯片的区域的一部分区域上或延伸在整个围绕区域上,其中半导体芯片和基板电连接。
薄板可由金属形成。
薄板可由不锈钢形成。
薄板可由高导热性金属形成。
薄板可通过层叠不锈钢层和高导热性金属层形成。
薄板和基板可电连接。
本发明的另一实施例针对一种制造半导体装置的方法,包括:在片状薄板上固定半导体芯片;在薄板上设置包括配线层的基板,使基板延伸在围绕固定半导体芯片的区域的一部分区域上或者延伸在整个围绕区域上;并且电连接半导体芯片和基板。
本发明的再一个实施例针对一种固态成像装置,其包括透镜、光电转换由透镜聚集的光的图像传感器、其上固定图像传感器的片状薄板以及包括配线层的基板,基板设置在薄板上以延伸在围绕固定图像传感器的区域的一部分区域上或延伸在整个围绕区域上,其中图像传感器和配线基板电连接。
在本发明的一个实施例中,半导体芯片固定在片状薄板上;包括配线层的基板设置在薄板上,使基板延伸在围绕固定半导体芯片的区域的一部分区域上或延伸在整个围绕区域上;并且半导体芯片和基板电连接。
根据本发明的实施例,可提供小厚度的模块。
附图说明
图1是根据现有技术的照相机模块的截面图;
图2是应用本发明的照相机模块的截面图;
图3是说明制造照相机模块的工艺的流程图;以及
图4A至4E是示出制造照相机模块的步骤的图示。
具体实施方式
现在,将参考附图描述本发明的实施例。下述各项将按照所列顺序描述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的