[发明专利]一种用于光电子器件的导电基板及其制备方法无效
申请号: | 201210138180.0 | 申请日: | 2012-05-07 |
公开(公告)号: | CN102820074A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 郭小军;陈苏杰;何培 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B1/02;H01B1/04;H01B13/00 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 祖志翔 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 光电子 器件 导电 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于光电子器件的导电基板,包括由下至上的透明衬底(1)和导电层(2),其特征在于,所述的导电层(2)由单层石墨烯薄膜和位于该石墨烯薄膜上的银线构成,该银线具有规则的图案。
2.根据权利要求1所述的用于光电子器件的导电基板,其特征在于,所述的规则图案为等间距的条形银线、大小相等的方格形银线或大小相等的正六边形银线。
3.根据权利要求2所述的用于光电子器件的导电基板,其特征在于,所述的等间距的条形银线间距为400μm~3mm,所述的方格形银线的边长为400μm~3mm,所述的正六边形银线的边长为400μm~3mm。
4.根据权利要求1所述的用于光电子器件的导电基板,其特征在于,所述的银线采用喷墨打印银墨水工艺形成,该银墨水中银纳米颗粒的直径小于10nm。
5.根据权利要求1所述的用于光电子器件的导电基板,其特征在于,所述银线的宽度介于60μm~200μm之间,高度介于30nm~200nm之间。
6.根据权利要求1所述的用于光电子器件的导电基板,其特征在于,所述的透明衬底(1)为玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯。
7.一种制备权利要求1-6任一项所述的用于光电子器件的导电基板的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
①对金属箔片和透明衬底进行清洗后,用干燥氮气吹干;
②在步骤①得到的金属箔片上通过化学气相沉积方法制备石墨烯薄膜;
③将石墨烯薄膜转印到步骤①得到透明衬底上表面,并利用刻蚀法除去金属箔片;
④采用打印工艺在所述的石墨烯薄膜上形成具有规则图案的银线。
8.根据权利要求7所述的制备用于光电子器件的导电基板的方法,其特征在于,所述的化学气相沉积方法的条件包括:采用碳源为甲烷、乙烷、丙烷、丁烷、甲醇、乙醇中的一种或多种,石墨烯薄膜的化学气相沉积生长的温度为700℃~1000℃的常压或负压下。
9.根据权利要求7所述的制备用于光电子器件的导电基板的方法,其特征在于,所述的金属箔片为铜箔片、铁箔片或镍箔片。
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