[发明专利]一种高精度金属掩模板的混合制作工艺

权利要求书

1.一种高精度金属掩模板的混合制作工艺，该种工艺包括电铸工艺和蚀刻工艺；其特征在于，先进行电铸工艺，再进行蚀刻工艺；

所述的电铸工艺，其步骤为：芯模前处理→单面贴膜→单面曝光→单面显影→电铸→褪膜→基板后处理；

所述的蚀刻工艺，其步骤为：双面贴膜→双面曝光→单面显影→单面蚀刻→水洗→褪膜→后处理→剥离→检测→组装→成品检测→包装。

2.根据权利要求1所述高精度金属掩模板的混合制作工艺，其特征在于，包括至少一次电铸和至少一次单面蚀刻。

3.根据权利要求1所述的高精度金属掩模板的混合制作工艺，其特征在于，所述电铸工艺的具体工艺步骤为：

a、芯模前处理：将芯模除油、酸洗、喷砂，以去除表面的油渍杂质，并将表面打磨光滑；

b、单面贴膜：将芯模表面进行贴膜；

c、单面曝光：使图形开口区域曝光，以便将未曝光区域干膜通过显影去除，留下曝光的部分以作后续电铸步骤的保护膜；

d、单面显影：将曝光步骤c中未曝光部分显影，留下曝光的部分以作后续电铸步骤的保护膜；

e、电铸：将芯模浸入电铸槽中，将电铸材料沉积到无干膜区域；

f、褪膜：将显影工序中未清除的曝光干膜通过褪膜液的浸泡刷洗褪除干净；

g、基板后处理：将基板连同芯模除油、酸洗、风干。

4.根据权利要求1所述的高精度金属掩模板的混合制作工艺，其特征在于，所述蚀刻工艺的具体工艺步骤为：

a、双面贴膜：将芯模表面及基板表面进行贴膜；

b、双面曝光：使凹槽区域以外区域曝光，以便将未曝光区域干膜通过显影去除，留下曝光的部分以作后续蚀刻步骤的保护膜；

c、单面显影：将所述曝光步骤中未曝光部分显影，留下曝光的部分以作后续蚀刻步骤的保护膜；

d、单面蚀刻：采用蚀刻的方法通过蚀刻液对电铸基板暴露的表面进行腐蚀；

e、水洗；

f、褪膜：将显影工序中未清除的曝光干膜通过褪膜液的浸泡刷洗褪除干净；

g、后处理：将蚀刻后的掩模板连同芯模除油、酸洗、风干；

h、剥离：将掩模板从芯模上剥离下来；

i、检测：将剥离下的掩模板进行质量检测；

j、组装：将检测合格的掩模板通过焊接、胶水、螺母件中的任意一种方式固定在掩模板框架上，形成掩模组件；

k、成品检测：将组装好的掩模组件进行质量检测；

l、包装：将检测合格的掩模板组件包装外壳，成品出货。

5.根据权利要求1所述的高精度金属掩模板的混合制作工艺，其特征在于，电铸中使用的阴极基板为不锈钢201，202，301，304，420J1，420J2中的任意一种；阳极采用阳极镍块、阳极镍板中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的高精度金属掩模板的混合制作工艺，其特征在于，电铸基板厚度为10～50μm，电铸材料为磁性镍或镍合金材料。

7.根据权利要求6所述的高精度金属掩模板的混合制作工艺，其特征在于，镍合金材料为镍铁合金、镍钴合金、镍铁钴合金中的一种。

8.根据权利要求1所述的高精度金属掩模板的混合制作工艺，其特征在于，电铸形成开口的竖直剖面呈锥形。

9.根据权利要求1所述的高精度金属掩模板的混合制作工艺，其特征在于，电铸形成开口尺寸为0.01～0.1mm。

10.根据权利要求9所述的高精度金属掩模板的混合制作工艺，其特征在于，电铸形成开口最佳尺寸为0.01～0.05mm。

11.根据权利要求1所述的高精度金属掩模板的混合制作工艺，其特征在于，蚀刻深度为50%～100%的电铸基板厚度。

12.根据权利要求11所述的高精度金属掩模板的混合制作工艺，其特征在于，蚀刻深度最佳为100%的电铸基板厚度。

13.根据权利要求1所述的高精度金属掩模板的混合制作工艺，其特征在于，蚀刻凹槽边缘与蒸镀面开口边缘重合。

14.根据权利要求1所述的高精度金属掩模板的混合制作工艺，其特征在于，蚀刻凹槽竖直剖面呈碗型。

15.根据权利要求1所述的高精度金属掩模板的混合制作工艺，其特征在于，蚀刻凹槽的剖面角度为30^o～50^o。