[发明专利]送液装置及送液方法无效
申请号: | 201210140539.8 | 申请日: | 2012-05-08 |
公开(公告)号: | CN102810495A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 广濑治道;牧野勉 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;B23Q11/10 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 戚宏梅;杨谦 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 方法 | ||
技术领域
本发明的实施方式涉及送液装置及送液方法。
背景技术
送液装置例如是具备罐体和配管等,使该罐体内的液体在配管中流动,向供给对象装置例如加工装置、基板处理装置等供给的装置。加工装置是通过切割刀片、钻头等加工刀具对金属件、基板等被加工物进行加工的装置,在被该加工刀具加工的被加工物的加工部位,以润滑、冷却以及清洗为目的,作为切削液被供给有在液体中混入了气体的处理液。(例如参照专利文献1)。
此外,基板处理装置是在半导体装置、液晶显示装置等的制造工序中,使处理液在半导体晶片或玻璃基板等的基板表面上流动,对该基板表面进行处理的装置,对该基板处理装置供给在液体中溶解了气体的处理液。作为这种基板处理装置,例如可以举出通过处理液来清洗基板表面的清洗装置、通过处理液从基板表面除去抗蚀剂膜的抗蚀剂除去装置。
专利文献1:日本特开2007-331088号公报
但是,仅仅如上所述那样将在液体中简单混入或溶解了气体的处理液原样地向供给对象装置供给,处理液的处理性能是不能够充分提高的,因此,例如在加工装置中,基于处理液进行的润滑、清洗不充分,加工刀具的寿命、加工性能几乎不怎么提高。此外,在基板处理装置中,基于处理液进行的清洗、抗蚀剂除去等也不充分,产品品质几乎不怎么提高。因此,为了充分提高处理液的处理性能,希望供给具有所需起泡率的处理液。
发明内容
本发明要解决的课题在于提供能够供给具有所需起泡率的处理液的送液装置及送液方法。
本发明的实施方式的送液装置具备:第一流路,流动有含有气体的液体;和第二流路,与第一流路连通,具有比第一流路的开口面积小的开口面积,若将在第一流路中流动的液体的第一压力设为P1,将在第一流路中流动的液体的第一流速设为V1,将在第二流路中流动的液体的第二压力设为P2,将在第二流路中流动的液体的第二流速设为V2,将液体的密度设为ρ,将重力加速度设为g,将急缩损失系数设为fsc,将流入第一流路的液体的流量设为Q,将第一流路的开口面积设为S1,将第二流路的开口面积设为S2,则第一压力P1与第二压力P2的差压、流入第一流路的液体的流量Q、第一流路的开口面积S1以及第二流路的开口面积S2满足如下关系式:
P1-P2=((1+fsc)×V22/2g-V12/2g)×ρg
Q=V1×S1=V2×S2,
在第二流路中流动的液体的雷诺数是会在第二流路中产生紊流的值。
本发明的实施方式的送液方法中,向第一流路和与第一流路连通且具有比第一流路的开口面积小的开口面积的第二流路,流入含有气体的液体来进行送液,其中,若将在第一流路中流动的液体的第一压力设为P1,将在第一流路中流动的液体的第一流速设为V1,将在第二流路中流动的液体的第二压力设为P2,将在第二流路中流动的液体的第二流速设为V2,将液体的密度设为ρ,将重力加速度设为g,将急缩损失系数设为fsc,将流入第一流路的液体的流量设为Q,将第一流路的开口面积设为S1,将第二流路的开口面积设为S2,则将第一压力P1与第二压力P2的差压、流入第一流路的液体的流量Q、第一流路的开口面积S1以及第二流路的开口面积S2设为满足如下关系式的值:
P1-P2=((1+fsc)×V22/2g-V12/2g)×ρg
Q=V1×S1=V2×S2,
将在第二流路中流动的液体的雷诺数设为会在第二流路中产生紊流的值。
本发明的实施方式的送液装置具备:并列的多个第一流路,流动有含有气体的液体;多个第二流路,与多个第一流路分别连通,具有比第一流路的开口面积小的开口面积;第三流路,与多个第二流路连通;以及多个开闭阀,分别独立地对多个第一流路进行开闭。
本发明的实施方式的送液方法中,向并列的多个第一流路、与多个第一流路分别连通且具有比第一流路的开口面积小的开口面积的多个第二流路、与多个第二流路连通的第三流路,流入含有气体的液体来进行送液,其中,根据从第三流路喷出的液体的所需喷出流量,改变使液体流入的第二流路的根数。
附图说明
图1是表示本发明第一实施方式的送液装置的概略结构的图。
图2是表示图1所示的送液装置所具备的节流孔部件的概略结构的截面图。
图3是用于说明基于伯努利定理进行的起泡率的计算的说明图。
图4是表示绝对压力和溶解度之间的相关关系的图表。
图5是表示差压与起泡率之间的相关关系的图表。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造