[发明专利]一种黑膜结构及其制造方法无效
申请号: | 201210141514.X | 申请日: | 2012-05-09 |
公开(公告)号: | CN103364853A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 李智渊;蔡硕文;黄耀贤;蔡俊毅 | 申请(专利权)人: | 钜永真空科技股份有限公司 |
主分类号: | G02B5/00 | 分类号: | G02B5/00;G02B1/11;B32B7/10;B32B9/04;B32B15/04 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 杨林;马翠平 |
地址: | 中国台湾台南市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 膜结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种黑膜结构的制造方法,其特征在于:包含下列步骤:
步骤一:提供第一光吸收层;
步骤二:在所述第一光吸收层上形成连接层;
步骤三:在所述连接层上形成具有第一厚度的第二光吸收层,所述第一厚度与反射光的可见光平均反射率呈正比对应关系;以及,
步骤四:在所述第二光吸收层上形成具有第二厚度的调整层,以减少所述反射光中可见光各波长反射率的差异性;
步骤五:在所述调整层上形成基材;或者在所述步骤一之前先形成基材,再在所述基材上形成所述第一光吸收层。
2.如权利要求1所述黑膜结构的制造方法,其特征在于,所述第一光吸收层、连接层、第二光吸收层及调整层的形成方法是溅镀沉积法、电镀沉积法、蒸镀沉积法、化学沉积法、电浆化学气相沉积法或涂布沉积法中一种。
3.如权利要求2所述黑膜结构的制造方法,其特征在于,所述第一光吸收层与所述第二光吸收层是以低反射率金属形成,且所述低反射率金属为铬或钛。
4.如权利要求1所述黑膜结构的制造方法,其特征在于,所述基材的材质是玻璃、金属或高分子材料中的一种。
5.如权利要求2所述黑膜结构的制造方法,其特征在于,所述调整层与所述连接层是以低折射率材料形成,且该低折射率材料为硅氧化物、氮化物或铝氧化物中的一种。
6.如权利要求1所述黑膜结构的制造方法,其特征在于,所述第二光吸收层的第一厚度小于30nm;所述调整层的第二厚度介于50nm至150nm之间。
7.一种黑膜结构,其特征在于,其包含:
第一光吸收层;
透明的连接层,位于所述第一光吸收层上;
具有第一厚度的第二光吸收层,位于所述连接层上,所述第一厚度的大小与一反射光的可见光反射率呈正比对应关系;
具有第二厚度的调整层,位于所述第二光吸收层上,以减少所述反射光中可见光各波长反射率的差异性;以及,
基材,位于所述调整层上或所述第一光吸收层下。
8.如权利要求7所述的黑膜结构,其特征在于,所述第一光吸收层与所述第二光吸收层的材质为铬或钛。
9.如权利要求8所述的黑膜结构,其特征在于,所述第二光吸收层的第一厚度小于30nm;所述调整层的第二厚度介于50nm至150nm之间。
10.如权利要求7所述的黑膜结构,其特征在于,所述调整层与所述连接层的材质为硅氧化物、氮化物或铝氧化物中的一种。
11.如权利要求7所述的黑膜结构,其特征在于,所述基材的材质为玻璃、金属或高分子材料中的一种。
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