[发明专利]监控外延轮廓的测试键

权利要求书

1.一种估计其他半导体器件中的外延生长半导体材料的高度的方法，包括：

在第一半导体器件上方外延生长半导体材料的第一部分、第二部分和第三部分，半导体材料的所述第三部分相对于半导体材料的所述第一部分和所述第二部分具有减小的尺寸；

测量半导体材料的所述第三部分的高度以及半导体材料的所述第一部分和所述第二部分中的至少一个的高度；

测量流经半导体材料的所述第一部分和所述第二部分的第一饱和电流；

测量流经半导体材料的所述第一部分和所述第三部分的第二饱和电流；

制备模型，所述模型为相对于半导体材料的所述第一部分和所述第二部分中的至少一个的高度的第一饱和电流以及相对于半导体材料的所述第一部分和所述第三部分的平均高度的第二饱和电流的模型；以及

使用所述模型来估计所述其他半导体器件中的外延生长半导体材料的高度。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：与禁止外延生长的环境相邻地形成半导体材料的所述第三部分。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：与氮化硅和氧化物中的至少一个相邻地形成半导体材料的所述第三部分。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：使用所述第一饱和电流和所述第二饱和电流在所述模型上建立线。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：在第二半导体器件上方外延生长半导体材料的第四部分和第五部分，半导体材料的所述第四部分和所述第五部分具有与半导体材料的所述第三部分类似的尺寸；测量半导体材料的所述第四部分和所述第五部分中的至少一个的高度；测量流经半导体材料的所述第四部分和所述第五部分的第三饱和电流；以及制备模型，从而所述模型包括相对于半导体材料的所述第四部分和所述第五部分中的至少一个的高度的所述第三饱和电流。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：使用所述第一饱和电流、所述第二饱和电流和所述第三饱和电流在所述模型中建立曲线。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：在介于半导体材料的所述第一部分和所述第二部分之间的半导体鳍的一部分上方形成第一栅电极。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：在介于半导体材料的所述第一部分和所述第三部分之间的半导体鳍的一部分上方形成第二栅电极。

9.一种用于估计其他半导体器件中的外延生长半导体材料的高度的系统，包括：

第一半导体器件，具有外延生长半导体材料的第一部分、第二部分和第三部分，外延生长半导体材料的所述第一部分和所述第二部分具有第一高度，外延生长半导体材料的所述第三部分具有第二高度，所述第二高度小于所述第一高度；

第二半导体器件，具有外延生长半导体材料的第四部分和第五部分，外延生长半导体材料的所述第四部分和所述第五部分近似具有所述第二高度；

接触件，电连接至外延生长半导体材料的所述第一部分、所述第二部分，所述第三部分、所述第四部分和所述第五部分；以及

模型，示出了相对于所述第一高度流经电连接至外延生长半导体材料的所述第一部分和所述第二部分的接触件的第一饱和电流、相对于所述第一高度和所述第二高度的平均高度流经电连接至外延生长半导体材料的所述第一部分和所述第三部分的接触件的第二饱和电流以及相对于所述第二高度流经电连接至外延生长半导体材料的所述第四部分和所述第五部分的接触件的第三饱和电流。

10.一种估计外延生长半导体层的高度的方法，包括：

建立具有至少一个外延生长半导体部分的FinFET器件；

测量流经所述FinFET器件的饱和电流；以及

基于所述饱和电流和高度之间的经验导出关系测量所述至少一个外延生长半导体部分的所述高度。