[发明专利]一种功率放大器的散热金属基板结构无效
申请号: | 201210142703.9 | 申请日: | 2012-05-10 |
公开(公告)号: | CN102655731A | 公开(公告)日: | 2012-09-05 |
发明(设计)人: | 孟庆南 | 申请(专利权)人: | 武汉正维电子技术有限公司 |
主分类号: | H05K7/20 | 分类号: | H05K7/20 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 唐万荣 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率放大器 散热 金属 板结 | ||
技术领域
本发明涉及一种散热金属基板,具体涉及一种功率放大器的散热金属基板结构。
背景技术
目前功率放大器生产厂商在安装焊接功率放大器的关键器件—功率放大管时,采用将功率放大管的金属底座焊接在散热金属基板上的生产工艺,以此来保证功率放大管产生的热耗能够快速的散去同时达到功率放大管良好接地的效果,但由于锡膏助焊剂的存在及其锡膏间的空气存在,焊接时会产生大量的助焊剂挥发及空气流动,从而导致功率放大管和散热金属基本之间存在气泡,其直接后果是功率放大器的可靠性降低,射频性能下降。因此如何提高功率放大管和金属基板之间的焊接覆盖率是一个值得研究的课题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种功率放大器的散热金属基板结构,可将功率放大器(功率放大管)和金属基板焊接在一起的焊接过程中产生的气泡通过金属基板上的透气孔或者透气槽排除,从而避免了功率放大管与金属基板之间产生的气泡。
为了实现上述目的,本发明所采用的技术方案是:一种功率放大器的散热金属基板结构,它包括金属基板,其特征在于,在安装功率放大器的金属基板上与功率放大器(功率放大管)底部焊接的区域设有透气孔或透气槽,透气槽的两端超出焊接的区域外。
所述的安装功率放大器的金属基板上与功率放大器(功率放大管)底部焊接的区域为放置功率放大器(功率放大管)的槽的部位。
所述的透气槽成“井”型。
所述的透气槽成“二”型。
所述的透气槽成两“十”相连型。
所述的透气槽成“×”型。
透气槽的尺寸根据具体情况而定,其形状不只限于以上形状,可为其它任何形状的透气槽。
所述的透气槽的槽深和槽宽尺寸不限,关键是槽的两端要超出功放管的焊接区域以外。
本发明的有益效果是:是通过在安装功率放大器的金属基板上与功率放大管底部焊接的区域设计透气孔或透气槽的方式,将功率放大管和金属基板焊接在一起的焊接过程中产生的气泡通过金属基板上的透气孔或者透气槽排除,从而避免了功率放大管与金属基板之间产生气泡和虚焊,保证了功率放大管与金属基板的良好接触,从而使得功率放大管的产生的热量可通过金属基板良好的散出。采用该种工艺结构焊接的功放管具备稳定性好,可靠性高,功率放大管的射频性能得到有效的保证。
附图说明
图1是本发明的第一种实施例的结构示意图。
图2是图1的俯视图。
图3是本发明的第一种实施例的使用状态图。
图4是功率放大器(功率放大管)的正面结构示意图。
图5是本发明的第二种实施例的使用状态俯视图(图中的虚线表示透气槽7)。
图6是本发明的第三种实施例的俯视图。
图7是图6沿A-A线的剖视图。
图8是本发明的第四种实施例的俯视图。
图9是本发明的第五种实施例的俯视图。
图中:1-金属基板,2-放置功率放大器(功率放大管)的槽,3-透气孔,4-功率放大器(功率放大管),5-功率放大器引脚,6-PCB板(电路板或线路板),7-透气槽。
具体实施方式
为了更好地理解本发明,下面结合实施例进一步阐明本发明的内容,但本发明的内容不仅仅局限于下面的实施例。
实施例1:
如图1、图2、图3所示,一种功率放大器的散热金属基板结构,它包括金属基板1,金属基板1上设有放置功率放大器(功率放大管)的槽2{即安装功率放大器的金属基板上与功率放大器(功率放大管)底部焊接的区域};放置功率放大器(功率放大管)的槽2的部位设有透气孔3。
所述的金属基板1可为铜板或铝板。
透气孔3的类型为通孔,孔的大小及其数量,可以根据焊接效果及其机械加工行进行定义,为了避免焊接漏锡过多问题,在设计印刷钢网时,印刷需要避开过孔。
透气孔有利于回流焊接时的热风对流,降低功率放大管底部与PCB板面温度差异,便于SMT 制程的控制。
本发明的使用状态如图3所示。
实施例2:
如图5所示,一种功率放大器的散热金属基板结构,它包括金属基板1,金属基板1上设有放置功率放大器(功率放大管)的槽2{即安装功率放大器的金属基板上与功率放大器(功率放大管)底部焊接的区域};放置功率放大器(功率放大管)的槽2的部位设有透气槽7,透气槽7的两端超出放置功率放大器(功率放大管)的槽外。
所述的透气槽7成“井”型。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉正维电子技术有限公司,未经武汉正维电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210142703.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。