[发明专利]一种低电流失配的锁相环电荷泵电路

权利要求书

1. 一种低电流失配的锁相环电荷泵电路，它包括电流镜和电荷泵，其特征在于：所述的电荷泵包括：

第一输入传输门                                                ：用于接收互补的上升信号up、upb，为了响应上升信号，从电源传送一个相应的输出电流到输出节点vout；

第二输入传输门：接收互补的下降信号dn、dnb，为了响应下降信号，从输出节点vout传送一个相应的输出电流到地gnd；

在第一输入传输门和输出节点vout之间设有共源共栅晶体管M41、M42构成了第一条电流通路；共源共栅晶体管M41的源端连接到第一输入传输门；

在输出节点vout和第二输入传输门之间设有共源共栅晶体管M43、M44构成了第二条电流通路；共源共栅晶体管M44的源端连接到第二输入传输门；

电流镜耦合到共源共栅晶体管M41、M42、M43、M44的栅极，传输偏置电压V1、V2，、V3、V4分别到共源共栅晶体管M41、M42、M43、M44的栅极；偏置电压V1、V2，、V3、V4分别使共源共栅晶体管M41、M42、M43、M44工作在饱和区。

2. 根据权利要求1所述的一种低电流失配的锁相环电荷泵电路，其特征在于：共源共栅晶体管M41、M42是pMOS晶体管；共源共栅晶体管M43、M44是nMOS晶体管。

3. 根据权利要求1所述的一种低电流失配的锁相环电荷泵电路，其特征在于：共源共栅晶体管M41、M42、M43、M44是双极结型晶体管或金属氧化物半导体场效应晶体管。

4. 根据权利要求1、2或3所述的一种低电流失配的锁相环电荷泵电路，其特征在于：所述的电流镜包括场效应管M4a，场效应管M4a的源级接电源，场效应管M4a的栅极接地gnd，场效应管M4a的漏极接场效应管M11的源极；场效应管M11的栅极接场效应管M12的漏极，场效应管M11的漏极接场效应管M12的源极，场效应管M12的漏极接场效应管M5a的漏极，场效应管M5a的源级接地gnd，场效应管M5a的栅极接场效应管M0的的栅极；

场效应管M4b的源级接电源，场效应管M4b的栅极接地gnd，场效应管M4b的漏极接场效应管M13的源极，场效应管M13的栅极接场效应管M12的栅极，场效应管M13的栅极与自己的漏极相连，场效应管M13的漏极还接场效应管M5b的漏极，场效应管M5b的栅极接场效应管M5a的栅极，场效应管M5a的源极接地gnd；

场效应管M4c的源级接电源，场效应管M4c的栅极接地gnd，场效应管M4c的漏极接场效应管M14的源极；场效应管M14的栅极接场效应管M11的栅极，场效应管M14的漏极接场效应管M15的源极，场效应管M15的栅极接场效应管M13的栅极，场效应管M15的漏极接场效应管M5c的栅极；场效应管M16的漏极接场效应管M15的漏极，场效应管M16的栅极接场效应管M5d的栅极，场效应管M16的源极接场效应管M5c的漏极，场效应管M5c的源极接地gnd；

场效应管M4d的源级接电源，场效应管M4d的栅极接地gnd，场效应管M4d的漏极接场效应管M17的源极，场效应管M17的栅极接场效应管M14的栅极；场效应管M17的漏极接场效应管M5d的漏极，场效应管M5d的漏极还与其自身的栅极相接，场效应管M5d的源级接地gnd；

场效应管M4e的源级接电源，场效应管M4e的栅极接地gnd，场效应管M4e的漏极接场效应管M18的源极，场效应管M18的栅极接场效应管M19的漏极，场效应管M18的漏极接场效应管M19的源极，场效应管M19的栅极分别接场效应管M15、M21的栅极，场效应管M19的漏极还接场效应管M22的漏极，场效应管M22的栅极分别接场效应管M5d、M24的栅极，场效应管M22的源极接场效应管M23的漏极，场效应管M23的栅极分别接场效应管M5c、M25的栅极，场效应管M23的源极接场效应管M5e的漏极，场效应管M5e的栅极接电源，场效应管M5e的源极接地gnd；

场效应管M4f的源级接电源，场效应管M4f的栅极接地gnd，场效应管M4f的漏极接场效应管M20的源极，场效应管M20的栅极接场效应管M18的栅极，场效应管M20的漏极接场效应管M21的源极，场效应管M21的栅极接场效应管M19的栅极，场效应管M21的漏极接场效应管M24的漏极，场效应管M24的源极接场效应管M25的漏极，场效应管M25的源极接场效应管M5f的漏极，场效应管M5f的栅极接电源，场效应管M5f的源极接地gnd； 

场效应管M20的栅极还与共源共栅晶体管M41的栅极连接，场效应管M21的栅极还与共源共栅晶体管M42的栅极连接，场效应管M24的栅极还与共源共栅晶体管M43的栅极连接，场效应管M25的栅极还与共源共栅晶体管M44的栅极连接。