[发明专利]一种化学抛光法制作异质结单晶硅薄膜太阳能电池

权利要求书

1.本发明为一种可优化提升异质结单晶硅薄膜太阳电池转化效率的新颖发明，利用化学溶液于硅片待镀面表面进行抛光处理，如此可避免制绒后的硅片表面高度落差，故可提升钝化层的致密性，进而提升光电转换效率。

2.根据权利要求1所述的N型单晶硅，其特徵为CZ或FZ法制作的N型单晶硅 ，硅片厚度约100~200微米，晶相为<100>，少数载子寿命为大於100微秒，电阻率为0.5~3.0 Ω·cm。

3.根据权利要求1所述的化学抛光工艺，其特徵为利用于超声波震荡器中倒入硝酸、氢氟酸、乙酸和去离子水于硅片表面进行抛光反应。

4.根据权利要求1所述的氢化I型非晶硅薄膜(I a-Si:H)、氢化P型非晶硅薄膜 (P a-Si:H)、与氢化N型非晶硅薄膜(N a-Si:H)，其特徵为透过通入硅烷、氢气、磷烷、硼烷于等离子增强式化学气相沉积设备，经由气体流量比、等离子输出功率、压力、电极间距等工艺技术来制备。

5.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特徵为氧化锌参杂铝(ZnO:Al)透明导电膜或氧化锌参杂硼(ZnO:B)透明导电膜或铟锡氧化物(ITO)透明导电膜，于磁控溅射或是反应式物理气相沈积设备中藉由通入氩气、氧气和氢气产生等离子来制备。

6.根据权利要求1所述的银导线，其特徵为透过网版印刷设备，将银导线布于正反面的透明导电膜上，以形成太阳电池的正负极接线。