[发明专利]一种化学抛光法制作异质结单晶硅薄膜太阳能电池

说明书

技术领域

本发明关于一种可提升异质结单晶硅薄膜太阳电池效率的新颖技术方法, 其目的系藉由化学溶液将制绒后的硅片表面进行抛光工艺，可使得硅片于后续的工艺覆盖性较佳，提升整体异质结单晶硅薄膜太阳电池的光电转换效率。 

背景技术

目前异质结单晶硅薄膜太阳电池皆于清洗制绒后，直接进入等离子增强式化学气相沉积设备制备钝化层，然而因制绒后的硅片表面会产生很大的高低落差，会造成于后续的钝化层覆盖性不佳，本发明即为提供一种化学溶液抛光工艺于硅片进入等离子增强式化学气相沉积设备前先将硅片待镀面表面進行抛光处理，如此可增加钝化层的致密性，进而提升转换效率。 

发明内容

本发明为一种可优化提升异质结单晶硅薄膜太阳电池转化效率的新颖发明，利用化学溶液于硅片待镀面表面进行抛光处理，如此可避免制绒后的硅片表面高度落差，故可提升钝化层的致密性，进而提升光电转换效率。 

具体实施方式

兹将异质结单晶硅薄膜太阳电池结构说明如附图1，而化学溶液抛光工艺详细说明如下：请参阅附图2，为本发明之动作流程方块示意图。流程为先在清洗制绒后的N型单晶硅(1)的正背面先利用硝酸、氢氟酸、乙酸水和去离子水混和液于硅片正背面进行抛光反应，接著于等离子增强式化学气相沉积设备中依序将硅片背面沉积I型氢化非晶硅薄膜(2)与N型氢化非晶硅薄膜(4)，接下来将整个硅片翻面，依序于硅片正面沈积I型氢化非晶硅薄膜(2)与P型氢化非晶硅薄膜(3)。再利用磁控溅射或是反应式物理气相沈积设备，先在P型非晶硅薄膜(3)上沈积透明导电膜(5)，接着于N型非晶硅薄膜(4)上沈积透明导电膜(5)，最后利用网版印刷于正背面将银导线(6)布上，即完成此化学抛光法异质结单晶硅薄膜太阳电池。而本发明中的氢化非晶硅薄膜则是透过通入硅烷、氢气、磷烷、与硼烷于等离子增强式化学气相沉积设备，经由气体流量比、等离子输出功率、压力、电极间距等工艺技术来制备，而透明导电膜则使用ITO或是ZnO等。 

  

附图说明:  

图 1 是异质结单晶硅薄膜太阳电池结构

图 2 是化学抛光法异质结单晶硅薄膜太阳电池工艺流程图

图 1符号说明

1 …N型单晶硅片

2 …I型氢化非晶硅薄膜

3 …P型氢化非晶硅薄膜

4 …N型氢化非晶硅薄膜

5 …透明导电膜

6 …银电极。