[发明专利]一种具有沟槽肖特基半导体装置及其制备方法

权利要求书

1.一种具有沟槽肖特基半导体装置，其特征在于：包括：

衬底层，为半导体材料；

漂移层，为第一传导类型的半导体材料，位于衬底层之上；多个

沟槽，位于漂移层中和半导体装置表面，沟槽内壁底部表面和侧壁下部表面有绝缘层，沟槽侧壁上部表面没有绝缘层，具有绝缘层的沟槽内填充有介质材料多晶硅或者金属；

第二传导类型的半导体材料区，位于沟槽之间漂移层上部，为第二传导类型的半导体材料构成，第二导电半导体材料沟槽侧壁表面为欧姆接触区，第二传导类型的半导体材料区的上表面覆盖绝缘材料或欧姆接触金属；

肖特基势垒结，位于沟槽侧壁上部第一传导类型的半导体材料表面。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的肖特基势垒结为沟槽侧壁的第一导电半导体材料与势垒金属形成的结。

3.如权利要求1所述的一种具有沟槽肖特基半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在衬底层上通过外延生长形成第一传导类型的半导体材料层；

2)注入第二传导类型杂质，进行退火工艺，在第一传导类型的半导体材料层内上部形成第二传导类型的半导体材料区；

3)在表面形成钝化层，在待形成沟槽区域表面去除钝化层；

4)进行刻蚀半导体材料，形成沟槽，沟槽位于第一传导类型的半导体材料层中和半导体装置表面；

5)在沟槽内壁形成钝化层，在沟槽内填充介质材料；

6)反刻蚀去除沟槽内部分介质材料，腐蚀去除半导体装置表面裸露部分钝化层，用于形成沟槽侧壁上部第一传导类型的半导体材料接触表面；

7)在半导体装置表面淀积金属，进行烧结形成肖特基势垒结。