[发明专利]启动电路和包括启动电路的带隙基准源电路

权利要求书

1.一种用于带隙基准源电路的启动电路，所述带隙基准源电路包括由运算放大器和两个PMOS管构成的负反馈电路以及两个双极型晶体管，其特征在于，所述启动电路包括三个PMOS管、三个NMOS管以及一个开关管，其中，

第一PMOS管和第一NMOS管串联在电源和虚地之间，第一PMOS管和第一NMOS管的漏端都连接在运算放大器的输出端，第一PMOS管的栅极接第二控制信号，第一NMOS管的栅极接第二NMOS管的漏极；

第二PMOS管和第二NMOS管串联在电源和虚地之间，第二PMOS管和第二NMOS管的栅极通过开关管连接在运算放大器的一个输入端；在启动电路启动带隙基准源电路瞬间，所述开关管导通使第二PMOS管和第二NMOS管的栅极存储电荷转移到所述带隙基准源电路的双极型晶体管上形成电流；在带隙基准源电路完全启动并且工作稳定后，第二PMOS管和第二NMOS管的栅极电位由带隙基准源电路中双极型晶体管的导通压降决定；

第三PMOS管的源极接电源，第三PMOS管的漏极接第二PMOS管的栅极，第三PMOS管的栅极接第二控制信号；

第三NMOS管的漏极和源极分别与第二NMOS管的漏极和源极连接，第三NMOS管的栅极接第一控制信号；

所述第一控制信号与所述第二控制信号为电平相反信号；所述第一控制信号和/或所述第二控制信号控制所述开关管的导通与关闭。

2.根据权利要求1所述的启动电路，其特征在于，还包括一个电容元件，所述电容元件连接在所述第二NMOS管的栅极和虚地之间。

3.根据权利要求1或2所述的启动电路，其特征在于，所述开关管为第四NMOS管，所述第四NMOS管的漏极接第二PMOS管的栅极，源极接所述运算放大器的反向输入端或正向输入端，栅极接第二控制信号。

4.根据权利要求1或2所述的启动电路，其特征在于，所述开关管为第四PMOS管，所述第四PMOS管的源极接第二PMOS管的栅极，漏极接所述运算放大器的反向输入端或正向输入端，栅极接第一控制信号。

5.根据权利要求1或2所述的启动电路，其特征在于，所述开关管为PNP型晶体管，所述PNP型晶体管的发射极接在第二NMOS管的栅极，集电极接运算放大器的反向输入端或正向输入端，基极接第一控制信号。

6.根据权利要求1或2所述的启动电路，其特征在于，所述开关管为NPN型晶体管，所述NPN型晶体管的集电极接在第二NMOS管的栅极，发射极接运算放大器的反向输入端或正向输入端，基极接第二控制信号。

7.根据权利要求1或2所述的启动电路，其特征在于，所述开关管为传输门，所述传输门由一个NMOS管和一个PMOS管并联组成，所述传输门的NMOS管的栅极接第二控制信号，传输门的PMOS管的栅极接第一控制信号。

8.根据权利要求2所述的启动电路，其特征在于，所述电容元件为电容，所述电容连接在第二NMOS管的栅极和虚地GND之间。

9.根据权利要求2所述的启动电路，其特征在于，所述电容元件为MOS管，所述MOS管的栅极接在第二NMOS管的栅极，所述MOS管的源极和漏极接在虚地。