[发明专利]具有低导通电阻的MOS器件的几何图形

权利要求书

1.一种在衬底上形成的金属氧化物半导体MOS器件，包括：

漏极区，其中所述漏极区具有(i)矩形或者(ii)正方形中的一者的形状；

栅极区，所述栅极区围绕所述漏极区，并且以闭环形式形成在所述漏极区周围，其中所述栅极区具有与(i)矩形或者(ii)正方形中的一者的漏极区的形状相对应的形状；

多个源极区，所述多个源极区被布置在所述栅极区周围并且位于所述MOS器件的外围，其中所述多个源极区中的每个源极区具有矩形的形状；以及

多个体区，所述多个体区被布置在所述栅极区周围并且位于所述MOS器件的拐角处，其中所述体区分隔所述源极区。

2.根据权利要求1所述的MOS器件，还包括多个区域，其中所述多个区域中的每个区域位于相应的源极区和相应的体区之间。

3.根据权利要求2所述的MOS器件，其中所述多个区域中的每个区域包括电耦合到所述栅极区的栅极触点。

4.根据权利要求1所述的MOS器件，其中沟道区被形成在所述栅极区之下。

5.根据权利要求4所述的MOS器件，其中所述沟道区被配置为使得电流从每个源极区流向所述漏极区。

6.根据权利要求1所述的MOS器件，其中所述MOS器件是晶体管。

7.根据权利要求1所述的MOS器件，其中：

所述衬底是硅衬底；并且

所述栅极区包括多晶硅。

8.根据权利要求7所述的MOS器件，其中所述MOS器件是正方形DMOS(SQDMOS)。

9.根据权利要求1所述的MOS器件，其中：

所述漏极区包括漏极触点，并且所述源极区中的至少一个包括源极触点；并且

所述漏极区触点和所述栅极区之间的距离大于所述源极区触点和所述栅极区之间的距离。

10.一种金属氧化物半导体MOS器件，所述MOS器件包括在衬底上以阵列形式形成的多个MOS晶体管单元，每个MOS晶体管单元包括：

漏极区，其中所述漏极区具有(i)矩形或者(ii)正方形中的一者的形状；

栅极区，所述栅极区围绕所述漏极区，并且以闭环形式形成在所述漏极区周围，其中所述栅极区具有与(i)矩形或者(ii)正方形中的一者的漏极区的形状相对应的形状；

多个源极区，所述多个源极区被布置在所述栅极区周围并且位于所述MOS晶体管单元的外围，其中所述多个源极区中的每个源极区具有矩形的形状；以及

多个体区，所述多个体区被布置在所述栅极区周围并且位于所述MOS晶体管单元的拐角处，其中所述体区分隔所述源极区，

其中所述源极区与相邻MOS晶体管单元的相应源极区重叠。

11.一种用于在衬底上形成金属氧化物半导体MOS器件的方法，包括：

形成漏极区，其中所述漏极区具有(i)矩形或者(ii)正方形中的一者的形状；

形成围绕所述漏极区的栅极区，其中所述栅极区以闭环形式形成在所述漏极区周围，并且其中所述栅极区具有与(i)矩形或者(ii)正方形中的一者的漏极区的形状相对应的形状；

形成多个源极区，所述多个源极区被布置在所述栅极区周围并且位于所述MOS器件的外围，其中所述多个源极区中的每个源极区具有矩形的形状；以及

形成多个体区，所述多个体区被布置在所述栅极区周围并且位于所述MOS器件的拐角处，其中所述体区分隔所述源极区。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括形成多个区域，其中所述多个区域中的每个区域位于相应的源极区和相应的体区之间。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述多个区域中的每个区域包括电耦合到所述栅极区的栅极触点。

14.根据权利要求11所述的方法，还包括形成位于所述栅极区之下的沟道区。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述沟道区被配置为使得电流从每个源极区流向所述漏极区。

16.根据权利要求11所述的方法，其中所述MOS器件是晶体管。

17.根据权利要求11所述的方法，其中所述衬底是硅衬底，并且所述栅极区包括多晶硅。