[发明专利]发光器件及其制造方法和发光器件封装有效
| 申请号： | 201210148953.3 | 申请日： | 2012-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN102881787B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 元钟学 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 张浴月,郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 及其 制造 方法 封装 | ||
1.一种发光器件，包括：
第一导电类型半导体层；
第二导电类型半导体层，位于所述第一导电类型半导体层上；以及
有源层，位于所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间，所述有源层包括多个阱层和多个势垒层，
其中，所述多个势垒层包括：第一势垒层，距离所述第二导电类型半导体层最近，所述第一势垒层具有第一带隙；第二势垒层，邻近所述第一势垒层；以及至少一个第三势垒层，位于所述第二势垒层与所述第一导电类型半导体层之间；
所述多个阱层包括：第一阱层，位于所述第一势垒层与所述第二势垒层之间，所述第一阱层具有第三带隙；以及第二阱层，位于所述第二势垒层与所述至少一个第三势垒层之间，所述第二阱层具有第二带隙；
所述第一阱层的厚度比所述第二阱层的厚度薄；
所述第三带隙不同于所述第一带隙；
其中，所述第一导电类型半导体层包括n型掺杂物，并且所述第二导电类型半导体层包括p型掺杂物；
其中，所述第一阱层和所述第二阱层包括基于InGaN的半导体；
其中，所述第一阱层的铟含量小于所述第二阱层的铟含量；并且
其中，所述多个势垒层具有所述第一带隙。
2.一种发光器件，包括：
第一导电类型半导体层；
第二导电类型半导体层，位于所述第一导电类型半导体层上；以及
有源层，位于所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间，所述有源层包括多个阱层和多个势垒层，
其中，所述多个势垒层包括：第一势垒层，距离所述第二导电类型半导体层最近，所述第一势垒层具有第一带隙；第二势垒层，邻近所述第一势垒层；以及至少一个第三势垒层，位于所述第二势垒层与所述第一导电类型半导体层之间；
所述多个阱层包括：第一阱层，位于所述第一势垒层与所述第二势垒层之间，所述第一阱层具有第三带隙；以及第二阱层，位于所述第二势垒层与所述至少一个第三势垒层之间，所述第二阱层具有第二带隙；
所述第一阱层的厚度比所述第二阱层的厚度薄；
所述第三带隙不同于所述第一带隙；并且
其中，所述第一阱层的厚度对应于所述第二阱层的厚度的30％到60％的范围。
3.一种发光器件，包括：
第一导电类型半导体层；
第二导电类型半导体层，位于所述第一导电类型半导体层上；以及
有源层，位于所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间，所述有源层包括多个阱层和多个势垒层，
其中，所述多个势垒层包括：第一势垒层，距离所述第二导电类型半导体层最近，所述第一势垒层具有第一带隙；第二势垒层，邻近所述第一势垒层；以及至少一个第三势垒层，位于所述第二势垒层与所述第一导电类型半导体层之间；
所述多个阱层包括：第一阱层，位于所述第一势垒层与所述第二势垒层之间，所述第一阱层具有第三带隙；以及第二阱层，位于所述第二势垒层与所述至少一个第三势垒层之间，所述第二阱层具有第二带隙；
所述第一阱层的厚度比所述第二阱层的厚度薄；
所述第三带隙不同于所述第一带隙；并且
其中，所述第一阱层的铟含量小于所述第二阱层的铟含量。
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