[发明专利]发光器件及其制造方法和发光器件封装

说明书

技术领域

本发明实施例涉及一种发光器件及其制造方法和发光器件封装。

背景技术

发光二极管（LED）是将电流转换成光的发光器件。近来，随着LED的亮度逐步提高，LED正在被广泛地应用于显示器件、机动车辆和照明设备的光源。

近年来，已经开发出了产生例如蓝光或绿光等的短波长光来实现全彩色的高功率发光芯片。因而，可以在发光芯片上涂覆荧光剂，该荧光剂吸收从发光芯片发出的一部分光以发出波长与所吸收的光不同的光，以便将具有不同颜色的LED彼此结合并且实现发射白光的LED。

发明内容

实施例提供一种发光器件，该发光器件包括具有新结构的有源层。

实施例提供一种发光器件，其中，距离第二导电类型半导体层最近的阱层具有相对薄的厚度，以改善复合（recombination）能级。

实施例提供一种发光器件，其中，距离第二导电类型半导体层最近的阱层的带隙比其他阱层的带隙宽，以改善复合能级。

实施例提供一种发光器件，其中，第一和第二阱层中距离第二导电类型半导体层最近的第一阱层的带隙比第二阱层的带隙宽，并且设置在第一和第二阱层之间的势垒层的厚度被调节。

实施例提供一种发光器件，其中，第一阱层和第二阱层中距离第二导电类型半导体层最近的第一阱层以及设置在第一和第二阱层之间的势垒层分别具有相对薄的厚度。

在一个实施例中，一种发光器件包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层，位于所述第一导电类型半导体层上；以及有源层，位于所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间，所述有源层包括多个阱层和多个势垒层，其中，所述多个势垒层包括：第一势垒层，距离所述第二导电类型半导体层最近，所述第一势垒层具有第一带隙；第二势垒层，邻近所述第一势垒层；以及至少一个第三势垒层，位于所述第二势垒层与所述第一导电类型半导体层之间；所述多个阱层包括：第一阱层，位于所述第一势垒层与所述第二势垒层之间，所述第一阱层具有第三带隙；以及第二阱层，位于所述第二势垒层与所述至少一个第三势垒层之间，所述第二阱层具有第二带隙；所述第一阱层的厚度比所述第二阱层的厚度薄，并且所述第三带隙不同于所述第一带隙。

在另一个实施例中，一种发光器件包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层；以及有源层，位于所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间，所述有源层包括多个阱层和多个势垒层，其中所述多个势垒层中每一个势垒层均具有第一带隙，所述多个阱层包括：第一阱层，距离所述第二导电类型半导体层最近，所述第一阱层具有第三带隙；以及比所述第一阱层邻近所述第一导电类型半导体层的多个阱层，所述多个阱层中每一个阱层均具有第二带隙，所述第一阱层的厚度比第二阱层的厚度薄，并且所述第三带隙设置在所述第一带隙与所述第二带隙之间。

在又一个实施例中，一种发光器件包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层；以及有源层，位于所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间，所述有源层包括多个阱层和多个势垒层，其中所述多个势垒层中每一个势垒层均具有第一带隙，所述多个阱层包括：第一阱层，具有第三带隙；以及任一第二阱层，具有第三带隙，所述第三带隙比所述第一带隙窄而比所述第二带隙宽，并且所述任一第二阱层设置得更靠近所述第二导电类型半导体层。

在以下的附图和说明书中阐释了一个或多个实施例的细节。其他特征将从说明书、附图以及从权利要求书中变得明显。

附图说明

图1是根据第一实施例的发光器件的截面视图。

图2是示出图1的有源层的能带的示意图。

图3是图2的有源层中复合能级的图。

图4是示出根据第二实施例的有源层的能带的示意图。

图5是示出根据第三实施例的有源层的能带的示意图。

图6是示出根据第四实施例的有源层的能带的示意图。

图7是示出图1的发光器件的另一个示例的图。

图8是示出图1的发光器件的另一个示例的图。

图9是包括图7的发光器件的发光器件封装的图。

图10是带有发光器件的显示装置的拆分透视图。

图11是示出带有发光器件封装的显示装置的另一个示例的示例性截面视图。

图12是带有发光器件的照明单元的透视图。

具体实施方式