[发明专利]IE型沟槽栅IGBT

权利要求书

1.一种IE型沟槽栅IGBT，包括以下部分：

(a)半导体衬底，其具有第一主面和第二主面；

(b)漂移区域，其被设置于上述半导体衬底内，具有第一导电型；

(C)单元区域，其被设置于上述第一主面上；以及

(d)多个线状单位单元区域，其俯视观察被设置于上述单元区域内，

在此，各线状单位单元区域具有以下部分：

(d1)线状有源单元区域，其被设置在从上述漂移区域的上述第一主面上到内部的范围；

(d2)一对沟槽内的一对线状沟槽栅电极，其俯视观察时以从两侧夹持上述线状有源单元区域的方式，被设置于上述第一主面的表面；

(d3)第二导电型体区，其被设置于上述漂移区域的上述第一主面侧表面区域内，导电型与上述第一导电型相反；

(d4)线状待用单元区域，其以上述一对线状沟槽栅电极为边界，以平面上从两侧夹持上述线状有源单元区域的方式，在两侧相邻地设置；

(d5)有源区，其被设置于上述线状有源单元区域内，在其长度方向上被分割；

(d6)第一导电型发射区，其在上述有源区内，被设置于上述第二导电型体区的上述第一主面侧表面区域内，导电型与上述第一导电型相同；以及

(d7)待用区，其被设置于上述线状有源单元区域内，不具有在其长度方向上进行分割的上述第一导电型发射区。

2.根据权利要求1所述的IE型沟槽栅IGBT，其特征在于，

上述线状有源单元区域的宽度比上述线状待用单元区域的宽度窄。

3.根据权利要求2所述的IE型沟槽栅IGBT，其特征在于，

在上述线状待用单元区域的上述漂移区域的上述第一主面侧表面区域内，大致整面上设置导电型与上述第一导电型相反的第二导电型的浮置区域，该第二导电型浮置区域覆盖上述一对沟槽的下端部，其深度大于上述一对沟槽的深度。

4.根据权利要求3所述的IE型沟槽栅IGBT，其特征在于，

各线状单位单元区域具有形成其长度方向列的多个块，各块具有以下部分：

(x1)具有上述有源区的有源子块；

(x2)不具有上述有源区的待用子块；

(x3)连结沟槽栅电极，其对上述一对线状沟槽栅电极之间进行连结，分离上述有源子块和上述待用子块；以及

(x4)发射触点部，其设置于上述有源子块上，而不设置于上述待用子块上。

5.根据权利要求4所述的IE型沟槽栅IGBT，其特征在于，

上述有源区被设置于有源子块的一部分上。

6.根据权利要求4所述的IE型沟槽栅IGBT，其特征在于，

上述有源区被设置于有源子块的整个区域内。

7.根据权利要求3所述的IE型沟槽栅IGBT，其特征在于，

上述线状待用单元区域具有以下部分：

(y1)第一导电型浮置区域形成区段，其在上述线状待用单元区域的长度方向上被分割，形成于上述第一主面侧表面区域内，具有导电型与上述第一导电型相同的第一导电型浮置区域；以及

(y2)第一导电型浮置区域非形成区段，其在上述线状待用单元区域的长度方向上被分割，形成于上述第一主面侧表面区域内，不具有上述第一导电型浮置区域。

8.根据权利要求3所述的IE型沟槽栅IGBT，其特征在于，

在上述线状待用单元区域的上述第一主面侧表面区域内，大致整面上设置有导电型与上述第一导电型相同的第一导电型浮置区域。

9.根据权利要求5所述的IE型沟槽栅IGBT，其特征在于，

在上述待用子块和上述线状待用单元区域的上述第一主面侧表面区域内，大致整面上设置有导电型与上述第一导电型相同的第一导电型浮置区域。