[发明专利]掩模板及制造阵列基板的方法有效
| 申请号： | 201210156894.4 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102707575A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 邓检;李晓坤;木素真 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 模板 制造 阵列 方法 | ||
1.一种掩模板，其特征在于，包括：
在掩模板上分别设置有钝化层图形区域和像素电极层图形区域，所述钝化层图形区域在像素电极层图形区域内；
在所述钝化层图形区域上和像素电极层图形区域上覆盖有不同的透光膜，其中，钝化层图形区域覆盖的透光膜允许透过光的最小光照强度小于等于像素电极层图形区域覆盖的透光膜允许透过光的最小光照强度。
2.如权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述钝化层图形为圆形、椭圆形或正方形。
3.一种基于权利要求1所述的掩膜板制造阵列基板的方法，其特征在于，包括：
在基板上的钝化层薄膜上涂覆光刻胶后，将所述掩模板与基板进行对准处理；
基于对准后的掩模板对涂覆的所述光刻胶进行曝光处理，将所述掩膜板上的钝化层图形显影成像到所述钝化层薄膜上；
在形成钝化层图形的钝化层薄膜上覆盖像素电极层材料，并在像素电极层材料上涂覆光刻胶；
基于所述对准后的掩模板对涂覆在像素电极层材料上的光刻胶进行曝光处理，将所述掩模板上的像素电极层图形显影成像到像素电极层材料上。
4.如权利要求3所述的制造阵列基板的方法，其特征在于，在基板上的钝化层薄膜上涂覆正性光刻胶。
5.如权利要求3所述的制造阵列基板的方法，其特征在于，在像素电极层材料上涂覆负性光刻胶。
6.如权利要求3所述的制造阵列基板的方法，其特征在于，所述曝光处理包括：接近式曝光处理、接触式曝光处理或者投影式曝光处理。
7.如权利要求3所述的制造阵列基板的方法，其特征在于，所述钝化层图形为圆形、椭圆形或者正方形。
8.如权利要求3所述的制造阵列基板的方法，其特征在于，所述钝化层薄膜为透明绝缘薄膜。
9.如权利要求3所述的制造阵列基板的方法，其特征在于，所述像素电极层材料为ITO、IZO的单层膜，或者为ITO、IZO所构成的复合膜。
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