[发明专利]掩模板及制造阵列基板的方法

说明书

技术领域

本发明液晶显示技术领域，尤其涉及一种掩模板及制造阵列基板的方法。

背景技术

近年来，随着数字化电视的普及，传统的阴极射线管(CRT,Cathode Ray Tube)显示技术由于数字化困难以及体积大、重量大、有辐射等缺点，逐渐被新一代显示技术所替代。液晶显示器（LCD，Liquid Crystal Display）具有重量轻、体积小、功耗低、无辐射、显示分辨率高等优点，逐渐成为显示技术领域中的主流产品。

LCD的主体结构包括对盒的阵列基板和彩膜基板，其中阵列基板的制造过程是基于四步掩膜工艺实现的，具体为：

第一步，在基板上沉积一层栅金属膜层，利用掩膜工艺，将第一掩模板与沉积栅金属膜层的基板对准，利用光刻工艺，将第一掩膜板上的图形显影到沉积的栅金属膜层上，形成栅线、栅电极以及存储电容电极的图案。

第二步，在形成栅线、栅电极以及存储电容电极图案的基板上，继续沉积一层有源膜层和金属膜层，将第二掩模板与沉积金属膜层的基板对准，利用光刻工艺，将第二掩膜板上的图形显影到沉积的金属膜层上，形成有源层、数据线、漏电极以及源电极的图案。

第三步，在第二步的基础之上，沉积一层钝化层薄膜，将第三掩模板与沉积钝化层金属膜层的基板对准，利用光刻工艺，将第三掩膜板上的图形显影到基板上，形成钝化层图案。

第四步，在第三步的基础之上，沉积一层像素电极层材料，将第四掩模板与沉积像素电极层材料的基板对准，利用光刻工艺，将第四掩模板上的图形显影到基板上，形成像素电极图案。

现有技术的阵列基板制造方法中，在利用掩模板制造阵列基板的过程中，因为阵列基板金属膜层比较多，基于不同金属膜层材料要形成的图案也不同，这样对应不同的金属膜层，要选择带有对应图案的不同掩模板，才能基于不同金属膜层材料在基板上形成不同层上的图案。同时在阵列基板的制造过程中，每个掩模板上的图形需要精确的对准在对应的金属膜层之上，所以每次都需要将不同的掩模板分别和覆盖不同金属膜层的基板精确对准，这样在不同阶段分别将不同的掩膜板与基板进行精准对准的操作，便使得阵列基板的制作过程效率降低，同时增加了生产成本。

发明内容

本发明实施例提供了一种阵列基板的制造方法及掩模板，用以解决现有技术中制造阵列基板的过程效率低下，浪费成本的问题。

本发明实施例技术方案如下：

一种掩模板，包括：在掩模板上分别设置有钝化层图形区域和像素电极层图形区域，所述钝化层图形区域在像素电极层图形区域内；在所述钝化层图形区域上和像素电极层图形区域上覆盖有不同的透光膜，其中，钝化层图形区域覆盖的透光膜允许透过光的最小光照强度小于等于像素电极层图形区域覆盖的透光膜允许透过光的最小光照强度。

一种基于上述掩模板制造阵列基板的方法，包括：在基板上的钝化层薄膜上涂覆光刻胶后，将所述掩模板与基板进行对准处理；基于对准后的掩模板对涂覆的所述光刻胶进行曝光处理，将所述掩膜板上的钝化层图形显影成像到所述钝化层薄膜上；在形成钝化层图形的钝化层薄膜上覆盖像素电极层材料，并在像素电极层材料上涂覆光刻胶；基于所述对准后的掩模板对涂覆在像素电极层材料上的光刻胶进行曝光处理，将所述掩模板上的像素电极层图形显影成像到像素电极层材料上。

本发明的有益效果如下：

使用本发明实施例提出的新的掩模板进行阵列基板的制造方法，在曝光工艺处理过程中，因为在钝化层上形成钝化层图形和在像素电极层上形成像素电极层图形时，可以基于同一个掩膜板进行曝光工艺处理，因此相对于现有技术制造阵列基板的过程减少了使用的掩模板的数量，并减小了一次对基板和掩膜板精准对准的过程，从而提高了阵列基板的生产效率，并节约了生产成本。

附图说明

图1 a为本发明实施例中，提出的掩模板结构示意图；

图1b为阵列基板光刻工艺主要过程示意图；

图2为本发明实施例中，提出的阵列基板制造方法流程图；

图3a为本发明实施例中，提出的基板上形成栅电极、栅极扫描线和存储电容电极后的阵列基板的俯视结构图；

图3b为对图3a中所示的阵列基板的俯视结构图沿A-A’线提取的截面图；

图4a为本发明实施例中，提出的设置绝缘层的阵列基板俯视结构图；

图4b为对图4a中所示的阵列基板俯视结构图沿A-A’线提取的截面图；

图5a为本发明实施例中，提出的在钝化层金属膜层上涂覆正性光刻胶之后的示意图；