[发明专利]用于测量大规模阵列器件特性的电路

权利要求书

1.一种用于测量大规模阵列器件特性的电路，其特征在于，所述电路包括：待测器件阵列、用于选择所述待测器件阵列中每个待测单元的选中逻辑模块、电平转换模块以及电学参数测量模块，

所述电平转换模块用于将外部电压源加在待测器件阵列中所有待测单元上，从而控制所述待测单元的栅极电压；

所述电学参数测量模块，用于测量所述待测器件阵列中所有待测单元分别在不同漏极电压和栅极电压下的直流电学特性。

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述待测单元包括：选择管和待测管，所述选择管和待测管均为MOS管，所述选择管的源极与所述待测管的栅极连接。

3.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电学参数测量模块包括：源电学参数测量子模块、栅电学参数测量子模块、以及漏电学参数测量子模块，所述源电学参数测量子模块、栅电学参数测量子模块、以及漏电学参数测量子模块均由电学参数测量单元构成，每个电学参数测量单元均设有五个端口，所述五个端口分别为：Select端口、InOut端口、ToPad1端口、ToPad2端口、以及ToPad3端口，当Select端口的信号为选中时，InOut端口分别与ToPad1端口以及ToPad2端口连通，当Select端口的信号为非选中时，InOut端口与ToPad3端口连通。

4.如权利要求3所述的电路，其特征在于，所述源电学参数测量子模块和栅电学参数测量子模块中的电学参数测量单元数量均与所述待测器件阵列中待测单元的行数相同，所述漏电学参数测量子模块中的电学参数测量单元数量与所述待测器件阵列中待测单元的列数相同，所述源电学参数测量子模块中的每个电学参数测量单元的Select端口连接所述选中逻辑模块的源选择单元、InOut端口连接所述待测器件阵列中与其对应行的待测单元中待测管的源极、ToPad1端口连接源Drive接口、ToPad2端口连接源Sense接口、ToPad3端口连接源sink接口，所述漏电学参数测量子模块中的每个电学参数测量单元的Select端口连接所述选中逻辑模块的漏选择单元、InOut端口连接所述待测器件阵列中与其对应列的待测单元中待测管的漏极、ToPad1端口连接漏Drive接口、ToPad2端口连接漏Sense接口、ToPad3端口连接漏Clamp接口，所述栅电学参数测量子模块中的每个电学参数测量单元的Select端口连接所述选中逻辑模块的源选择单元、InOut端口连接所述待测器件阵列中与其对应行的待测单元中选择管的漏极、ToPad1端口连接栅Drive接口，ToPad2端口连接栅Sense接口，ToPad3端口连接栅Clamp接口。

5.如权利要求4所述的电路，其特征在于，所述电平转换模块包括多个电平转换单元，所述电平转换单元的数量与所述待测器件阵列中待测单元的列数相同，所述电平转换单元包括三个端口：电压源端口Vpp、数据输入端口Data-In和数据输出端口Data-Out，所述待测器件阵列中每一列的阵列单元的选择管的栅极均与该列所述电平转换模块的电平转换单元的数据输出端口Data-Out连接，每个电平转换单元的数据输入端口Data-In均与所述选中逻辑模块的漏选择单元连接，每个电平转换单元的电压源端口Vpp与外部电压源连接。

6.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述待测器件阵列所有的选择管和待测管的衬底都相连。

7.如权利要求3所述的电路，其特征在于，所述电学参数测量单元均由两个传输门、一个反相器和一个MOS管构成。

8.如权利要求2～7中任一项所述的电路，其特征在于，所述选择管的漏极泄露电流小于待测管的栅极泄露电流。

9.如权利要求2～7中任一项所述的电路，其特征在于，所述选择管的栅极电压大于或等于所述选择管的阈值电压与所述待测管的最大栅极驱动电压之和。