[发明专利]一种NOR Flash 存储器的读方法及装置在审
| 申请号： | 201210157357.1 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN103426477A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 苏志强;刘会娟 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 赵娟 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 nor flash 存储器 方法 装置 | ||
1.一种NOR Flash存储器的读方法，其特征在于，所述NOR Flash存储器中包括灵敏放大器，所述的方法包括：
对读操作选中存储单元的字线加正常读电压，对非选中存储单元的字线加负电压；
选通所述选中存储单元对应的位线，将所述位线上的电流或电压信号传到灵敏放大器；
由所述灵敏放大器根据所述电流或电压信号判断被选中存储单元中存储的值。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对非选中存储单元的字线加的负电压为小于0V至大于或等于-2V中的某一值。
3.权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述存储单元为字线行与位线列的交叉点，所述位线通过选通管与存储单元相连。
4.一种NOR Flash存储器的读方法，其特征在于，所述NOR Flash存储器中包括灵敏放大器，所述的方法包括：
对读操作选中存储单元的字线加正常读电压，对非选中存储单元的P阱PWELL加负电压；
选通被选中存储单元对应的位线，将所述位线上的电流或电压信号传到灵敏放大器；
由所述灵敏放大器根据所述电流或电压信号判断被选中存储单元中存储的值。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述非选中存储单元的P阱PWELL加的负电压为小于0V至大于或等于-2V中的某一值。
6.权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述存储单元为字线行与位线列的交叉点，所述位线通过选通管与存储单元相连。
7.一种NOR Flash存储器的读装置，其特征在于，包括：
读电压施加模块，用于对读操作选中存储单元的字线加正常读电压；
第一负电压施加模块，用于对非选中存储单元的字线加负电压；
位线选通模块，用于选通所述选中存储单元对应的位线，将所述位线上的电流或电压信号传到灵敏放大器；
灵敏放大器，用于根据所述电流或电压信号判断被选中存储单元中存储的值。
8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述对非选中存储单元的字线加的负电压为小于0V至大于或等于-2V中的某一值。
9.一种NOR Flash存储器的读装置，其特征在于，包括：
读电压施加模块，用于对读操作选中存储单元的字线加正常读电压；
第二负电压施加模块，用于对非选中存储单元的P阱PWELL加负电压；
位线选通模块，用于选通被选中存储单元对应的位线，将所述位线上的电流或电压信号传到灵敏放大器；
灵敏放大器，用于根据所述电流或电压信号判断被选中存储单元中存储的值。
10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述非选中存储单元的P阱PWELL加的负电压为小于0V至大于或等于-2V中的某一值。
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