[发明专利]一种NOR Flash 存储器的读方法及装置

说明书

技术领域

本申请涉及半导体存储器技术领域，特别是涉及一种NOR Flash存储器的读方法，以及，一种NOR Flash存储器的读装置。 

背景技术

所谓Flash，是内存(Memory)的一种，但兼有RAM和ROM的优点，是一种可在系统(In-System)进行电擦写，掉电后信息不丢失的存储器，同时它的高集成度和低成本使它成为市场主流。Flash芯片是由内部成千上万个存储单元(cell)组成的，每个单元存储一个或多个比特(bit)。具有低功耗、大容量、擦写速度快、可整片或分扇区在系统编程(烧写)、擦除等特点，并且可由内部嵌入的算法完成对芯片的操作，因而在各种嵌入式系统中得到了广泛的应用。作为一种非易失性存储器，Flash在系统中通常用于存放程序代码、常量表以及一些在系统掉电后需要保存的用户数据等。Flash技术根据不同的应用场合也分为不同的发展方向，有擅长存储代码的NOR Flash和擅长存储数据的NAND Flash。 

NOR FLASH是很常见的一种存储芯片，数据掉电不会丢失。NOR FLASH支持Execute On Chip，即程序可以直接在FLASH片内执行。这点和NAND FLASH不一样。因此，在嵌入是系统中，NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质。NOR FLASH的读取和RAM很类似，但不可以直接进行写操作。对NOR FLASH的写操作需要遵循特定的命令序列，最终由芯片内部的控制单元完成写操作。 

对于存储器而言，存储的密度至关重要。随着市场对存储器大容量NOR Flash的要求，为了提高存储器的集成度，同一个区块(block)内的WL(字线)越来越多，已经达到1024根甚至更多。另外，随着工艺节点继续推进，尤其是到65nm以下后，存储单元沟道宽度变小导致了更 多的亚阈值漏电，这使得读取过程中，BL(位线)上的漏电流干扰越来越大。 

在传统的存储器读取方法中，需要在选中的BL上加读电压V_read，在非选中的BL上加零电压。随着工艺节点的降低，尤其是到65nm以下时，存储管的VTH(阈值电压)减小，开启之前的漏电流会越来越大，这些漏电在同一根BL上累积，当一个block的WL根数不够大时，累积的电流对读电流造成的影响可忽略，但当WL集成度达到一定程度后时，(比如1024根)，此时的累积(如达到10uA)就不可避免了，这样必将导致读电流增大，很容易使读数据出错。另外，如果在擦除的过程中异常掉电，出现过擦除情况，这样在读操作时，如果非选中单元WL加零电压，则对应的电流过大，存储单元无法关断，同样累积到BL上的电流过大，造成读取数据错误。这势必使得读操作无法正确进行，存储器的可靠性大大降低。 

因此，目前本领域技术技术人员迫切需要解决的一个技术问题是，提出了一种NOR Flash存储器的读取机制，用以提高读出数据的准确性和可靠性。 

发明内容

本申请所要解决的技术问题是提供一种NOR Flash存储器的读方法及装置，用以提高提高读出数据的准确性和可靠性，从而提高存储器的性能。 

为了解决上述技术问题，本申请实施例公开了一种NOR Flash存储器的读方法，所述NOR Flash存储器中包括灵敏放大器，所述的方法包括： 

对读操作选中存储单元的字线加正常读电压，对非选中存储单元的字线加负电压； 

选通所述选中存储单元对应的位线，将所述位线上的电流或电压信号传到灵敏放大器； 

由所述灵敏放大器根据所述电流或电压信号判断被选中存储单元中存储的值。 

优选的，所述对非选中存储单元的字线加的负电压为小于0V至大于或等于-2V中的某一值。 

优选的，所述存储单元为字线行与位线列的交叉点，所述位线通过选通管与存储单元相连。 

本申请实施例还公开了一种NOR Flash存储器的读方法，所述NOR Flash存储器中包括灵敏放大器，所述的方法包括： 

对读操作选中存储单元的字线加正常读电压，对非选中存储单元的P阱PWELL加负电压； 

选通被选中存储单元对应的位线，将所述位线上的电流或电压信号传到灵敏放大器； 

由所述灵敏放大器根据所述电流或电压信号判断被选中存储单元中存储的值。 

优选的，所述非选中存储单元的P阱PWELL加的负电压为小于0V至大于或等于-2V中的某一值。 

优选的，所述存储单元为字线行与位线列的交叉点，所述位线通过选通管与存储单元相连。