[发明专利]一种非易失性存储器的擦写方法及擦写装置有效

专利信息
申请号: 201210157464.4 申请日: 2012-05-18
公开(公告)号: CN103425587A 公开(公告)日: 2013-12-04
发明(设计)人: 付永庆 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G11C16/34
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 苏培华
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 非易失性存储器 擦写 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种非易失性存储器的擦写方法,其特征在于,包括:

选择工作模式,所述工作模式包括擦除模式、编程模式和擦写模式;

当选择擦写模式时,确定一要擦写的目标存储块,并对该目标存储块执行以下操作:

验证所述目标存储块是否需要编程;

对需要编程的所述目标存储块进行块擦除;

对块擦除过的所述目标存储块进行块编程;

判断所有目标存储块是否全部编程完毕,如果编程完毕,则编程结束;如果编程未完毕,继续确定下一个目标存储块并进行验证、块擦除和块编程。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:

所述验证是把目标存储块中的数据和需要编程的数据进行比较,如果相同则目标存储块不需要编程,转入下一个目标存储块,如果不同则目标存储块需要编程。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,每次验证之前,还包括:

将需要编程的数据存到临时存储器中;

从临时存储器的所述存储块中读取需要编程的数据。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:

当选择擦除模式时,对所有的目标存储块进行全部擦除。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:

当选择编程模式时,对所有的目标存储块进行全部编程。

6.一种非易失性存储器的擦写装置,其特征在于,包括:

模式选择模块,用于选择工作模式,所述工作模式包括擦除模式、编程模式和擦写模式;

目标块确定模块,用于当选择擦写模式时,确定一要擦写的目标存储块;

编程验证模块,用于当选择擦写模式时,验证所述目标存储块是否需要编程;

擦除模块,用于对需要编程的所述目标存储块进行块擦除;

编程模块,用于对块擦除过的所述目标存储块进行块编程;

判断模块,用于判断所有目标存储块是否全部编程完毕,如果编程完毕,则编程结束;如果编程未完毕,继续确定下一个目标存储块并进行验证、块擦除和块编程。

7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于:

所述编程验证模块把目标存储块中的数据和需要编程的数据进行比较,如果相同则目标存储块不需要编程,转入下一个目标存储块,如果不同则目标存储块需要编程。

8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,还包括:

编程数据存储模块,用于将需要编程的数据存到临时存储器中;

编程数据读取模块,用于从临时存储器中读取需要编程的数据。

9.根据权利要求6所述的装置,其特征在于:

当模式选择模块选择擦除模式时,对所有的目标存储块进行全部擦除。

10.根据权利要求6所述的装置,其特征在于:

当模式选择模块选择编程模式时,对所有的目标存储块进行全部编程。

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