[发明专利]一种非易失性存储器的擦写方法及擦写装置

说明书

技术领域

本申请涉及存储器技术领域，特别是涉及一种非易失性存储器的擦写方法及擦写装置。

背景技术

非易失性存储器(Non-volatile Memory)由于具有可多次进行数据的读取、擦除、编程等动作，且存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此，非易失性存储器被广泛采用在个人电脑和电子设备等等。

目前，一般的非易失性存储器在编程操作之前都需要进行擦除操作，而目前的非易失性存储器基本都是编程和擦除操作分开，这就要求用户在需要编程时需要先进行擦除。这样，实际的编程时间就包括了擦除时间。而非易失性存储器的擦除是比较费时的，这就导致了非易失性存储器的编程时间也比较久。

例如，目前非易失性存储器主要用于存储数据和代码，很多应用的存储内容的修改量很小。如代码与代码之间的区别往往很小，有时仅仅修改1个字节就可以将现在的代码编程为另一个代码，在这种情况下，如果还按照传统的先擦除后编程的步骤执行，会浪费大量的时间。

发明内容

本申请所要解决的技术问题是提供一种非易失性存储器的擦写方法及擦写装置，以解决现有的编程方式，当数据修改量很小时，不必要的擦除操作浪费大量时间的问题。

为了解决上述问题，本申请公开了一种非易失性存储器的擦写方法，包括：

选择工作模式，所述工作模式包括擦除模式、编程模式和擦写模式；

当选择擦写模式时，确定一要擦写的目标存储块，并对该目标存储块执行以下操作：

验证所述目标存储块是否需要编程；

对需要编程的所述目标存储块进行块擦除；

对块擦除过的所述目标存储块进行块编程；

判断所有目标存储块是否全部编程完毕，如果编程完毕，则编程结束；如果编程未完毕，继续确定下一个目标存储块并进行验证、块擦除和块编程。

优选的，所述验证是把目标存储块中的数据和需要编程的数据进行比较，如果相同则目标存储块不需要编程，转入下一个目标存储块，如果不同则目标存储块需要编程。

优选的，所述验证之前，还包括：

将需要编程的数据存到临时存储器中；

从临时存储器中读取需要编程的数据。

优选的，当选择擦除模式时，对所有的目标存储块进行全部擦除。

优选的，当选择编程模式时，对所有的目标存储块进行全部编程。

本申请还公开了一种非易失性存储器的擦写装置，包括：

模式选择模块，用于选择工作模式，所述工作模式包括擦除模式、编程模式和擦写模式；

目标块确定模块，用于当选择擦写模式时，确定一要擦写的目标存储块；

编程验证模块，用于当选择擦写模式时，验证所述目标存储块是否需要编程；

擦除模块，用于对需要编程的所述目标存储块进行块擦除；

编程模块，用于对块擦除过的所述目标存储块进行块编程；

判断模块，用于判断所有目标存储块是否全部编程完毕，如果编程完毕，则编程结束；如果编程未完毕，继续确定下一个目标存储块并进行验证、块擦除和块编程。

优选的，所述编程验证模块把目标存储块中的数据和需要编程的数据进行比较，如果相同则目标存储块不需要编程，转入下一个目标存储块，如果不同则目标存储块需要编程。

优选的，还包括：编程数据存储模块，用于将需要编程的数据存到临时存储器中；

编程数据读取模块，用于从临时存储器中读取需要编程的数据。

优选的，当模式选择模块选择擦除模式时，对所有的目标存储块进行全部擦除。

优选的，当模式选择模块选择编程模式时，对所有的目标存储块进行全部编程。

与现有技术相比，本申请包括以下优点：

本申请提出的一种非易失性存储器的擦写方法及擦写装置，提供了三种工作模式，可以根据实际需要选择适合的模式，在数据变化较大的情况下，选择擦除模式和编程模式；在数据变化较小的情况下，选择擦写模式。当选择擦写模式时，验证目标存储块是否需要编程；对需要编程的目标存储块进行块擦除；对擦除过的目标存储块进行块编程；判断目标存储块是否全部编程完毕，如果编程完毕，则编程结束；如果编程未完毕，继续对下一个目标存储块进行验证、块擦除和块编程。